电压显卡性能测试

性能及测试方法项目性能性能及测试方法及条件(根据JISC5101-1)X7R特性静电容量允许差以内测量前进行热处理介电损耗因数2.
5%以下耐电压无绝缘击穿,无破损施加电压:1~5秒間在硅油中施加电压充放电电流:50mA以下施加电压:额定电压*250%绝缘阻抗10,000MΩ以上施加电压圧:额定电压施加时间:1分钟粘附强度引线接合0.
03N以上用Φ25μ的Au线进行引线接合贴装后,再测量引线的强度温度循环外观无明显机械损伤常温→最低使用温度→常温→最高使用温度3分钟→30分钟→3分钟→30分钟依次将电容置于上述1~4个阶段中为一个循环此操作进行五个循环静电容量变化率±7.
5%以下Q及介电损耗因数满足初始值绝缘阻抗满足初始值耐电压无绝缘破坏及破损耐湿负荷外观无明显机械损伤进行电压处理测试温度:85±2℃相対湿度:85±3%RH测试電圧:3.
0测试時間:240-0,+24小时静电容量变化率±12.
5%以下Q及介电损耗因数初始值的2倍以下绝缘阻抗1,000MΩ或50MΩμF任意小的一方值以上高温负荷外观无明显机械损伤进行电压处理测试温度:125±3℃相对湿度:额定电压测试时间:2000-0,+48小时静电容量变化率±12.
5%以下Q及介电损耗因数初始值的2倍以下绝缘阻抗1,000MΩ或50MΩμF任意小的一方值以上测定频率测定电压1kHz10%1.
0V10%注1:热处理需要在150+0/-10℃、1小时后,从室温中取出,放置48±4个小时.
注2:电压处理要在规定的试验条件下进行,1小时处理后,从室温中取出放置48±4个小时.
打线电容性能及测试方法