draindrain和plumbing有什么区别

怎么求punch through 时的drain voltage

MOS管的源漏端电压不能太高，否则会导致punch-through，也就是源漏端之间穿通。

一般而言2.5V NMOS的最小channel length是0.27um。

就以这个最小channel-lenght的NMOS为例， 有如下三个问题。

第一，发生punch-through所需的电压高还是drain-source junction breakdown 所需的电压高？；换句话说哪个会先发生？==>一般来讲punch-through的电压低一些。

但是，you know，punch-through是和沟道长度有关的，你不想punch through，可以把L弄长点。

另外，drain-source junction??,应该是drain-bulk或source bulk吧！ 第二，gate端电压对punch-through的电压值有没有影响；换句话说其会影响punch-through的难易程度么？ ==> 理论上讲应该有影响，因为它影响耗尽层的形成，没有具体数据。

第三，punch-through一旦发生时hard damage 还是soft damage？；换句话说器件会损毁而不能工作么？ ＝＝>soft damage，因为它的原理是两个耗尽层相接触了，这个你懂的。

drain是什么意思

drain[英][dre?n][美][dren] vi.排水; 流干; vt.喝光，喝干; 使（精力、金钱等）耗尽; 使流出; 排掉水; n.排水; 下水道; 排水系统; [医]引流; 第三人称单数：drains过去分词：drained复数：drains现在进行时：draining过去式：drained 例句: 1. God, look what I found in the drain! 天啊，你看我在排水管里发现什么？

电源ic drain是什么意思

展开全部 Gate to Source: 栅源电压 Drain to source：漏源电压 区别不太大，主要是掺杂不同，之间还存在沟道，当然MOSFET和三极管还有很多不同，找了些资料，仅供参考如下： 三极管用于功率应用电路中时，有很多局限性，虽然在一些电器中仍 能采用双极型...

NSAutoReleasePool使用中drain和release的区别

[pool drain] 和 [pool release] 的区别： release，在引用计数环境下，由于NSAutoReleasePool是一个不可以被retain的类型，所以release会直接deallocpool对象。

当pool被dealloc的时候，pool向所有在pool中的对象发出一个release的消息，如果一个对象在这个pool中autorelease了多次，pool对这个对象的每一次autorelease都会release。

在GC环境下release是一个no-op操作（代表没有操作，是一个占据进行很少的空间但是指出没有操作的计算机指令）。

drain，在引用计数环境下，它的行为和release是一样的。

在GC的环境下，这个方法调用objc_collect_if_needed出发GC。

因此，重点是：在GC环境下，release是一个no-op，所以除非你不希望在GC环境下出发GC，你都应该使用drain而不是使用release来释放pool。

drain和plumbing有什么区别

Drain - 下水道 维基：Drain, a fixture that provides an exit-point for waste water or water that is to be re-circulated（排放或循环废水的系统） Plumbing - 水管系统 （包括下水道，但还包括上水，暖气水等。

。

） 维基：Plumbing is the system of pipes, drains, fittings, valves, and fixtures installed for the distribution of potable water for drinking, heating and washing, and waterborne waste removal. （提供饮用水，供热水，清洗用水等的系统，以及废水处理系统。

）