内存条型号谁能告诉我内存分几种型号，要详说

内存条的型号怎么看?

内存条上一般都贴着一张纸 上面有商标、内存类型、内存频率、内存大小 等等信息 内存类型：DDR DDR2 DDR3 内存频率【单位是MHz】：常见的有266 300 533 667 800 1066 1333 1666 内存大小【单位是MB or GB】：常见的有32MB 64MB 128MB 256MB 512MB 1G 2G 4G 8G 在纸上通常不写单位，只有一大串数字，例如：DDRII512800 【意思是DDR二代 512MB 800MHz】 当然安装到电脑上的内存条，用软件【everest、CPU-z等等】直接就显示在屏幕上了 如果贴的纸上面的信息和软件显示的不同，就说明奸商有来骗人了。

电脑内存条有哪几种型号?。。。。。。详细点。。。。。

你内存插凿多的嘛！还有两个空的。

你就锁定买DDR2 667的。

内存有好多种的，我们常见的按大类分有SDR,DDR,DDR2,DDR3四种，前两种现在说实话基本被淘汰，我家的古董机用的就是SDR内存（就是有两个缺口的那种内存条，现在的都是一个缺口的），而各类里按内存刷新频率分又有若干种！频率越快越牛B！比如你的就属于DDR2里的667MHz的。

我现在用的是DDR2 800MHz的。

谁能告诉我内存分几种型号，要详说

1、RAM(Randomnbsp;essnbsp;Memory，随机存取存储器)nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。

它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：1.1nbsp;DRAM（bsp;RAM，动态随机存取存储器）：nbsp;nbsp;这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。

存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。

因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

1.2nbsp;SRAM（bsp;RAM，静态随机存取存储器）nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。

每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

1.3nbsp;VRAM（Videonbsp;RAM，视频内存）nbsp;nbsp;它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。

它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。

多用于高级显卡中的高档内存。

1.4nbsp;FPMnbsp;DRAM（Fastnbsp;Pagenbsp;Modenbsp;DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）nbsp;nbsp;改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。

传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。

而FRMnbsp;DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。

由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。

FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。

在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPMnbsp;DRAM被大量使用。

1.5nbsp;EDOnbsp;DRAM（Extendednbsp;Datanbsp;Outnbsp;DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）nbsp;nbsp;这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。

它不需要像FPMnbsp;DRAM那样在存取每一BITnbsp;数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。

因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。

它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDOnbsp;DRAM，到96年后期，EDOnbsp;DRAM开始执行。

1.6nbsp;BEDOnbsp;DRAM（Burstnbsp;Extendednbsp;Datanbsp;Outnbsp;DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）nbsp;nbsp;这是改良型的EDOnbsp;DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。

它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDOnbsp;DRAM快。

但支持BEDOnbsp;DRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIAnbsp;APOLLOnbsp;VP2），因此很快就被DRAM取代了。

1.7nbsp;MDRAM（Multi-Banknbsp;DRAM，多插槽动态随机存取存储器）nbsp;nbsp;MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库nbsp;(BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。

1.8nbsp;WRAM（Windownbsp;RAM，窗口随机存取存储器）nbsp;nbsp;韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资