电压ncp什么意思

ncp什么意思  时间:2021-01-14  阅读:()

1NCP1562中文说明书新晔电子李志坚译13420949204NCP1562的两个有重要特性是软关断和时间控制的跳周期电流限制功能.
当发生重要问题时,软关断电路通过一个受控方式来关断转换器.
在过流条件下,跳周期模式检测点将启动软关断时序.

NCP1562其它的重要特点有电压前馈,频率同步最大到1MHz.
前沿消隐的逐周期的电流限制功能,独立的过欠压检测功能,可调输出时序延迟,可调最大占空比,和内建的电流起动电路和软启动功能.

主要特性:1.
双通道可调交迭延时受控输出.
2.
>2A的输出驱动3.
受控的软关断方式关闭变换器.
4.
逐周期的电流限制.
5.
在连续电流限制的条件下起动跳周期模式.
6.
带输入电压前馈的电压控制模式.
7.
最大固定工作频率至1.
0MHz.
8.
双向频率同步.
9.
独立的欠压和过压检测.
10.
精确最大占空比限制.
11.
可程序最大伏秒积.
12.
内建100V启动电路.
13.
精确的5V参考电压.
14.
无铅产品.
应用范围:1.
通讯电源转换器.
2.
低输出电压带同步整流转换器.
3.
工业电源转换器.
4.
42V自动推进系统.
5.
ATX电源供应器.
PIN脚说明1输入电压直接连接输入线电压以启动内建的起动器.
一个恒流源提供电流为P16的VAUXPIN的电容充电.
不需要启动电阻,充电电流典型值为10mA.
最大输入电压为100V.
2欠压和过压输入电压成比例的减小并由电阻取样,过欠压保护均采用同一个PIN脚.
采用新结构来达到这个效果.
最小和最大输入电压是独立调整好的.
欠压点为小于2V,过压点为大于3V,欠压点在生产中有3%的误差,过欠压检测点均存在100mV的滞后.
3电压前馈从线电压上取的一个外接的RC分压器产生电压前馈斜坡.
这个斜坡送到PWM比较器,用来设定占空比.
形成直接输入线调节.
每个周期通过内置的下拉晶体管对外部电容放电.
一旦被放电,电容就被有效接地直到下个周期开始.
4电流检测过流检测输入,当CS电压超过0.
2V(或是NCP1652B超过0.
5V),变换器将工作在逐周期电流限制.
一旦有检测到电流限制脉冲,跳周期定时器将被启动,在正常工作状态时,内建的前沿消隐脉冲将防止有破坏性的误触发.
为了提高对故障的反应速度,前沿消隐脉冲在软起动和输出超载的时候失效.

25.
GND控制回路地所有的控制和时间组件接地点,应采用最短的连接方式以提高对噪音的抗干扰能力.

6RtCt从参考电压取样的外置RC来设定主输出的工作频率和最大占空比,最大占空比到1MHz,通过对Ct的连续充放电来产生一个幅值在2V到3V之间的锯齿波.
锯齿波的峰值和最小值用来提供精确的占空比和频率,在Ct放电期间,输出被关断.
7SYNC双向的频率同步器允许跟另外一个NCP1562保持同步,低频率的那个成为从频率,同时也可以与外部信号保持同步.
8VREF精确的5V参考最大输出电流为5mA,外部需要一个旁路电容,推荐容量在0.
047-1.
0uF.
9VEA外部误差信号输入,并与前馈斜坡相比较,在输入到PWM比较器之前,一个串联的二极管和电阻使电压有所下降,一个内置的上拉电阻允许直接连接到光耦.
10软启动,软关断一个10uA电流源到这个脚的外接电容充电,在启动时通过比较这个脚的电压和前馈斜坡来限制占空比,在稳定的状态下,SS电压大约在3.
8V,一旦发生欠压,过压,过温度或跳周期故障时,SS电容将被一个受控的100uA的电流源放电.
占空比将逐步下降到0%.
311tD通过一个外接电阻下地来设定OUT1和OUT2间的延迟时间12CSKIP跳周期时间在连续过流的条件下,变换器将关断.
故障时间定义和变换器的关断时间均由P12的电容来决定.
当检测到电流限制发生时,跳周期定时器将被启动,一旦启动,CSKIP将被一个100uA的电流源充电.
如果过流故障在进入软关断前移除,电容将被10uA的电流源放电.
一旦CSKIP达到3.
0V,变换器进入到软关断模式,同时CSKIP被10uA电流源放电,当CSKIP达到0.
5V,变换器将重新开启.
如果过流能在这个阶段清除,CSKIP将被放电到0V,否则,又将从0.
5V被重新充电,建立了一个打隔模式工作.
13OUT2PWM的第二个输出端,可以用来驱动复位开关,或是同步整流器,或是两者皆可,OUT2有一个可调的前沿和后沿的交迭延时,与OUT1相反,OUT2最大输出驱动为1.
0A.
14PGND连接到OUT1和OUT2的地,采用最短连接方式.
15OUT1控制器的主要输出端,最大输出驱动电流为2.
5A.
16VAUX正电压输入,外接一个电容用来储存电能,内置电流源从PIN1提供电流为电容充电.
当VAUX达到10.
3V,电流源被关闭,同时启动输出,当VAUX下降到8V,电流源将恢复充电.
如果偏置电流的损耗超过启动电流,VAUX将持续放电.
当VAUX达到7.
0V,输出将被关断,并允许VAUX充电.
在正常工作时,IC通过辅助绕组来供电.
启动电路将被关断一旦VAUX电压达到10.
3V,如果VAUX电压掉到1.
2V,启动电流将减少到200uA.
NCP1562A,NCP1562BMAXIMUMRATINGS(Notes1and2)RatingSymbolValueUnitLineVoltageVin100VAuxiliarySupply,OUT1,OUT2VAUX,Voutx20VAllOtherInputs/OutputsVoltageVIO10VAllOtherInputs/OutputsCurrentIIO5.
0mA5.
0VReferenceOutputCurrentIREF10mA5.
0VReferenceOutputVoltageVREF0.
3to6.
0VOUT1PeakOutputCurrent(D=2%)Iout12.
5AOUT2PeakOutputCurrent(D=2%)Iout21.
0AOperatingJunctionTemperatureTJ–40to+125CStorageTemperatureRangeTstg–55to+150CPowerDissipation(TA=25C,2.
0OzCu,1.
0SqInchPrintedCircuitCopperClad)DTSuffix,PlasticPackageCase948F(TSSOP16)DSuffix,PlasticPackageCase751B(SO16)PD0.
750.
95WThermalResistance,JunctiontoAmbient(2.
0OzCuPrintedCircuitCopperClad)DTSuffix,PlasticPackageCase948F(TSSOP16)0.
36SqIn1.
0SqInDSuffix,PlasticPackageCase751B(SO16)0.
36SqIn1.
0SqInRJA155133120105C/WStressesexceedingMaximumRatingsmaydamagethedevice.
MaximumRatingsarestressratingsonly.
FunctionaloperationabovetheRecommendedOperatingConditionsisnotimplied.
ExtendedexposuretostressesabovetheRecommendedOperatingConditionsmayaffectdevicereliability.
1.
ThisdeviceseriescontainsESDprotectionandexceedsthefollowingtests:Pins216:HumanBodyModel2000VperMIL–STD–883,Method3015.
MachineModelMethod160V.
Pin1istheHVstartupofthedeviceandisratedtothemaxratingofthepart,or100V.
2.
ThisdevicecontainsLatchupprotectionandexceeds100mAperJEDECStandardJESD78.
Http://onsemi.
com4NCP1562A,NCP1562BELECTRICALCHARACTERISTICS(Vin=48V,VAUX=12V,VUVOV=2.
3V,VEA=open,VCSKIP=0V,VCS=0V,VSS=open,RT=13.
3k,CAUX=10F,CT=470pF,Cout1=Cout2=100pF,CUVOV=0.
01F,CCSKIP=6800pF,RD=25k,RSYNC=5.
0k,CREF=0.
1F,RFF=29.
4k,CFF=470pF.
FortypicalvaluesTJ=25C,formin/maxvalues,TJis–40Cto125C,unlessotherwisenoted.
)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitSTARTUPCONTROLANDVAUXREGULATORVAUXRegulation(VUVOV=0V)InhibitThresholdVoltageStartupThreshold/VAUXRegulationPeak(VAUXIncreasing)OperatingVAUXValleyVoltageMinimumOperatingVAUXValleyVoltageafterTurnOn(VUVOV=2.
3V,VEA=0V)VinhibitVAUX(on)VAUX(off1)VAUX(off2)–9.
657.
426.
501.
1510.
38.
07.
01.
510.
978.
487.
42VMinimumStartupVoltage(Pin1)IAUX=1.
0mA,VAUX=VAUX(on)–0.
2VVstart(min)––23.
2VInhibitBiasCurrentVAUX=0VIinhibit70170270AStartupCircuitOutputCurrentVAUX=Vinhibit+0.
2VVAUX=VAUX(on)–0.
2VIstart1Istart27.
164.
039.
36.
111.
38.
1mAStartupCircuitOffStateLeakageCurrent(Vin=200V,VUVOV=0V)TJ=25CTJ=–40Cto125CIstart(off)––25–50100AStartupCircuitBreakdownVoltage(Note3)Istart(off)=50A,TJ=125CVBR(DS)100––VAuxiliarySupplyCurrentafterVAUXTurnOnOutputsDisabledVUVOV=0VVEA=0VOutputsEnabledVEA=4.
0VIAUX1IAUX2IAUX3–––3.
04.
25.
53.
64.
947.
0mALINEUNDER/OVERVOLTAGEDETECTORUndervoltageThreshold(VinIncreasing)VUV1.
9792.
052.
116VUndervoltageHysteresisVUV(H)0.
0740.
0930.
118VUndervoltageRatio(VUV(H)/VUV)VUV(ratio)3.
654.
505.
62%OvervoltageThreshold(VinIncreasing)VOV2.
802.
953.
10VOvervoltageHysteresisVOV(H)0.
0750.
0930.
127VOffsetCurrent(VUVOV=2.
8V)Ioffset(UVOV)384858AOffsetCurrentTurnONThreshold(5%,Ioffset(UVOV)=40A)Voffset(UVOV)2.
42.
62.
8VLINEFEEDFORWARDPeakVoltage(VoltSecondClamp)VFF(peak)2.
83.
03.
2VDischargeCurrent(VFF=0.
5V,VSS=0V)IFF(D)8.
5––mAOffsetVoltage(VFF=0V,RampDownVSS)Voffset(FF)0.
1180.
1850.
268VFeedforwardOffsetMinusSoftStopResetVoltage(FFSS)770183mV3.
Guaranteedbydesignonly.
http://onsemi.
com5NCP1562A,NCP1562BELECTRICALCHARACTERISTICS(continued)(Vin=48V,VAUX=12V,VUVOV=2.
3V,VEA=open,VCSKIP=0V,VCS=0V,VSS=open,RT=13.
3k,CAUX=10F,CT=470pF,Cout1=Cout2=100pF,CUVOV=0.
01F,CCSKIP=6800pF,RD=25k,RSYNC=5.
0k,CREF=0.
1F,RFF=29.
4k,CFF=470pF.
FortypicalvaluesTJ=25C,formin/maxvalues,TJis–40Cto125C,unlessotherwisenoted.
)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitCURRENTLIMITANDTHERMALSHUTDOWNCycle–by–CycleThresholdVoltage(Vout=10V)NCP1562ANCP1562BVILIM191476203495217512mVPropagationDelaytoOutput(VCS=VILIMto1.
0V,LEBDisabled,Vout=10V)TJ=25CTJ=–40Cto125CtILIM––78–90110nsThermalShutdownThreshold(JunctionTemperatureIncreasing,Note4)TSHDN–160–CThermalShutdownHysteresis(TemperatureDecreasing,Note4)TH–25–CLEADINGEDGEBLANKINGOffsetVoltageVLEB(offset)–10–mVBlankingTimetLEB5080110nsVEAThresholdtheDisablesLEB(MeasuredtogetherwithtLEB)VLEB(dis)4.
1––VCYCLESKIPCURRENTLIMITMODEChargeCurrent(VCSKIP=1.
25V)ICSKIP(C)7090111ADischargeCurrent(VCSKIP=1.
25V)ICSKIP(D)6.
58.
611ANumberofPulsestoExitCycleSkipModePulseCSKIP–3–UpperThresholdVoltage(RampupVCSKIP,VCS=1.
0V)VCSKIP(peak)2.
833.
033.
24VLowerThresholdVoltage(RampdownVCSKIP)VCSKIP(valley)0.
390.
4650.
52VThresholdVoltageHysteresisVCSKIP(H)–2.
5–V5.
0VREFERENCEOutputVoltage(IREF=0mA)VREF4.
95.
05.
1VLoadRegulation(IREF=0to5.
0mA)VREF(Load)–1650mVLineRegulation(VAUX=7.
5to20V,IREF=0mA)VREF(line)–1050mVDischargeCurrent(VUVOV=0V,VREF=2.
5V)IREF(D)3.
8––mAOSCILLATORFrequencyTJ=25CTJ=40Cto125CfOSC222211.
2246–272.
2277.
2kHzPeakVoltageVRTCT(peak)2.
95VValleyVoltageVRTCT(valley)2.
1VDischargeCurrent(VRTCT=2.
3V)IRTCT490AMaximumOperatingFrequency(Note4)fMAX1.
0––MHzDutyCycle(RD=25k)D58.
562.
064.
7%AdjustableMaximumDutyCycle(Note4)DMAX85%4.
Guaranteedbydesignonly.
6NCP1562A,NCP1562BELECTRICALCHARACTERISTICS(continued)(Vin=48V,VAUX=12V,VUVOV=2.
3V,VEA=open,VCSKIP=0V,VCS=0V,VSS=open,RT=13.
3k,CAUX=10F,CT=470pF,Cout1=Cout2=100pF,CUVOV=0.
01F,CCSKIP=6800pF,RD=25k,RSYNC=5.
0k,CREF=0.
1F,RFF=29.
4k,CFF=470pF.
FortypicalvaluesTJ=25C,formin/maxvalues,TJis–40Cto125C,unlessotherwisenoted.
)CharacteristicSymbolMinTypMaxUnitSYNCHRONIZATIONOutputPulseWidthtO(SYNC)70110nsOutputVoltageHigh(RSYNC=)VH(SYNC)–4.
3–VSyncThresholdVoltage(Note5)VSYNC3.
5––VSyncInputPulseWidth(VSYNC=3.
5V)tSYNC–tO(SYNC)minnsMaximumSyncFrequency(Note5)fSYNC––1.
0MHzSourceCurrent(Note5)ISYNC(D)–1.
0–mASOFTSTART/STOPChargeCurrent(VSS=1.
6V)ISS(C)8.
310.
213.
1ADischargeCurrent(VUVOV=0V,VSS=1.
6V)ISS(D)7295115ASoftStopResetVoltage(VFF=0V)Vreset(SS)–115mVOUTPUTSOverlapTimeDelay(Testedat50%ofWaveform)LeadingTrailingtD(leading)tD(trailing)37724590nsOutputVoltage(IOUT=0mA,Note5)LowStateHighStateVOLVOH–11.
8––0.
25–VDriveResistance(FTONLY)OUT1Sink(VRTCT=4.
0V,Vout1=1.
0V)TJ=25CTJ=–40Cto125COUT1Source(VRTCT=2.
5V,Vout1=11V)TJ=25CTJ=–40Cto125COUT2Sink(VRTCT=4.
0V,Vout2=1.
0V)TJ=25CTJ=–40Cto125COUT2Source(VRTCT=2.
5V,Vout2=11V)TJ=25CTJ=–40Cto125CRSNK1RSRC1RSNK2RSRC2––––––––2.
8–4.
7–11.
4–11.
6–3.
65.
035.
757.
4512.
720.
013.
520.
0RiseTime(10%to90%,Cout1=2200pF,Cout2=220pF)OUT1OUT2tr1tr2––2619––nsFallTime(90%to10%,Cout1=2200pF,Cout2=220pF)OUT1OUT2tf1tf2––1010––nsPWMCOMPARATORInputResistanceRIN(VEA)142550kLowerInputThresholdVEA(L)0.
480.
831.
04VDelaytoOutput(FromVOHto0.
5VOH)tPWM–100–ns5.
Guaranteedbydesignonly.
http://onsemi.
com7Vin=TJ=48V25°CNCP1562A,NCP1562B2.
01.
81.
61.
41.
211.
010.
510.
09.
59.
0VAUX(on)0.
88.
0VAUX(off1)0.
40.
20502502550751001251507.
06.
56.
050250VAUX(off2)255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure2.
StartupCircuitInhibitVoltageThresholdvs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure3.
AuxiliarySupplyVoltageThresholdsvs.
JunctionTemperature121110VAUX=Vinhibit+0.
2V987VAUX=VAUX(on)0.
2V6543210Vin=48V987654321050250255075100125150024681012TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure4.
StartupCurrentvs.
JunctionTemperatureVAUX,SUPPLYVOLTAGE(V)Figure5.
StartupCurrentvs.
SupplyVoltage1009080706050403020100VAUX=12VTJ=40CTJ=25CTJ=125C0255075100125150175200Vin,INPUTVOLTAGE(V)Figure6.
StartupCircuitLeakageCurrentvs.
InputVoltagehttp://onsemi.
com8OVERVOLTAGEUNDERVOLATGENCP1562A,NCP1562B109VAUX=12V876VUVOV=2.
3V,Cout1=Cout2=100pF5VUVOV=2.
3V,VEA=0V438.
07.
57.
06.
56.
05.
55.
04.
5Vin=48V2VUVOV=0V4.
0fOSC230kHz13.
503.
0Cout1=Cout2=100pF502502550751001251501011121314151617181920TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure7.
AuxiliarySupplyCurrentvs.
JunctionTemperatureVAUX,POWERSUPPLYVOLTAGE(V)Figure8.
SupplyCurrentvs.
SupplyVoltage3.
23.
13.
02.
92.
72.
62.
52.
42.
32.
22.
12.
01501401301101009080706050OVERVOLTAGEUNDERVOLTAGE5025025507510012515050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure9.
LineUnder/OvervoltageThresholdsvs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure10.
LineUnder/OvervoltageHysteresisvs.
JunctionTemperature755070VAUX=12V4565VUVOV=2.
8V40603555305025452040153510305250VCC=12VVSS=0VVFF=0.
5V5025025507510012515050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure11.
UVOVOffsetCurrentvs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure12.
FFDischargeCurrentvs.
JunctionTemperaturehttp://onsemi.
com9FFOffsetSSResetNCP1562BNCP1562ANCP1562A,NCP1562B2502252001751501251007550250502502550751001251503.
53.
43.
33.
23.
13.
02.
92.
82.
72.
62.
550250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure13.
FFOffsetandSSResetVoltagesvs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure14.
FeedforwardPeakVoltagevs.
JunctionTemperature55050045040035030025020015050250255075100125150150140130120110100908070605050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure15.
CurrentLimitThresholdVoltagevs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure16.
CurrentLimitPropagationDelayvs.
JunctionTemperature100908070605040302010050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure17.
LeadingEdgeBlankingTimevs.
JunctionTemperaturehttp://onsemi.
com10NCP1562A,NCP1562B150140130120110100908070605015VCSKIP=1.
25V141312111098765VCSKIP=1.
25V5025025507510012515050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure18.
CycleSkipChargeCurrentvs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure19.
CycleSkipDischargeCurrentvs.
JunctionTemperature3.
53.
43.
33.
23.
13.
02.
92.
82.
72.
62.
5UPPERTHRESHOLDLOWERTHRESHOLD1.
00.
90.
80.
70.
60.
50.
40.
30.
20.
105.
255.
205.
155.
105.
055.
004.
954.
904.
854.
804.
75VREF=5mAVAUX=12V5025025507510012515050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure20.
CycleSkipVoltageThresholdsvs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure21.
ReferenceVoltagevs.
JunctionTemperature1098765432VCC=12VVUVOV=0V1VREF=2.
5V0750700650600550500400350300250200CT=220pFCT=470pFVAUX=12VRT=14kRD=69.
8k5025025507510012515050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure22.
VREFDischargeCurrentvs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure23.
OscillatorFrequencyvs.
JunctionTemperaturehttp://onsemi.
com11NCP1562A,NCP1562B900800700600500CT=150pFVAUX=12VTJ=25C9085CT=470pF807570CT=220pF400300200100010CT=470pF30CT=220pF65605550454050709011010CT=150pF30VAUX=12VTJ=25CRD=69.
8k507090110RT,TIMINGRESISTOR(k)Figure24.
OscillatorFrequencyvs.
TimingResistorRT,TIMINGRESISTOR(k)Figure25.
DutyCyclevs.
TimingResistor9085807570RT=20k,CT=150pF65RT=15.
8k,CT=220pF6055RT=11.
8k,CT=470pF50454015VAUX=12V14RD=69.
8k1312111098765CHARGEDISCHARGE(VUVOV=0V)VAUX=12V15014013012011010090807060505025025507510012515050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure26.
DutyCyclevs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure27.
SoftStart/StopChargeandDischargeCurrentsvs.
JunctionTemperature500450400350300250200150100500TRAILINGLEADINGVAUX=12VTJ=25C400350250200150500tD(trail)tD(lead)tD(trail)tD(lead)tD(trail)tD(lead)VAUX=12VRD=200kRD=69.
8kRD=20k08016024032040050250255075100125150RD,DELAYRESISTOR(k)Figure28.
OverlapTimeDelayvs.
DelayResistorTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure29.
OverlapTimeDelayvs.
JunctionTemperaturehttp://onsemi.
com12VEA=0VNCP1562A,NCP1562B109VAUX=12V8765SOURCE,Vout1=11V432SINK,Vout1=1V101817VAUX=12V16141312SOURCE,Vout2=11V11108765025025507510012515050250255075100125150TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure30.
Output1DriveResistancevs.
JunctionTemperatureTJ,JUNCTIONTEMPERATURE(C)Figure31.
Output2DriveResistancevs.
JunctionTemperature50454035302520151050502502550751001251501.
51.
41.
31.
21.
11.
00.
90.
80.
70.
60.
55025025507510012515013Figure33.
PWMComparatorLowerInputThresholdvs.
JunctionTemperatureNCP1562X系列是具有外围零件少,高效率的电压模式DCDCPWM控制器,控制器集成了两个交迭延时的同相输出,可以防止同时导通和有利于实现软开关.
主输出可以用来驱动正激变换器的主MOS,第二输出可以用来驱动有源钳位MOS,二次侧的同步整流器,或者是不对称半桥线路.
NCP1562X系列通过集成了几个高精度的重要功能,比如最大占空比限制,欠压保护和过流保护.

NCP1562的两个有重要特性是软关断和时间控制的跳周期电流限制功能.
当发生重要故障时,软关断电路通过一个受控的方式来关断转换器.
在过流条件下,跳周期模式检测点将启动软关断时序.

NCP1562其它的重要特点有电压前馈,频率同步最大到1MHz.
前沿消隐的逐周期的电流限制功能,独立的过欠压检测功能,可调输出时序延迟,可调最大占空比,和内建的电流起动电路和软启动功能.

软启动和软关断NCP1562采用了新的技术将软启动和软关断集成在一个脚上.
当出现故障时,软关断将逐步减少占空比直到0%,在变换器关断期间逐步减小占空比,箝位电容被放电,这样可以防止功率变压器和箝位电容的振荡,确保变换器关断在一个理想状态.

在开机时,软起动逐步增加占空比,允许控制器逐步达到稳定工作状态,这两个组合的特征可以减少系统的应力和功率浪涌.
根据比较VSS脚和VFF脚的电压来确定占空比,软起动和软关断是独立通过对SS脚的电容缓慢充电或放电来实现的.
一旦VFF电压大于VSS电压时,OUT1将被关断.
软起动的充电电流是10uA,放电电流是100uA,保证有个更快速的关断时间.
当发生欠压,过压,跳周期模式,或是热DOWN条件时,转换器进入到软关断时序.
一旦进入到软关断状态,将保持在软关断状态直到VSS电压下降到0.
2V,即使故障提前下降到0.
2V也不可以.
预先设定的充放电比为1:10,可以通过在VREF和SS脚上并电容的方法来增加充电电流,但是总的电流不能超过100uA,否则,变换器将无法完成软关断时序.
根据变换器的状态,软关断时序很难确保快速响应时间和防止系统故障.
如果软关断时序开始时是在VSS达到VFFRAMP的最大钳位电压3.
0V之前,同时PWM比较器VEA没有控制占空比,一个受控的放电源马上对CSS放电,主参考图34.
然而,如果VEA仍然控制占空比,CSS将被放电直到软关断设定的占空比等于VEA设定的占空比.
在受控的放电之后,如图35所示.
如果VSS电压大于VFF的斜率,同时VEA并没有控制占空比的时候,在开始对CSS进行受控放电之前,VSS将被强行下降至VFF斜坡的峰值,请参考图36.
在软关断开始时的占空比绝对不会超过软关断前的占空比.
如果VAUX脚电压达到VAUX(OFF2)时,CSS会被立即放电,同时关断输出,VSS不可以外接上拉或下拉.
14电流限制NCP1562有两种过电流模式,逐周和跳周期模式,在瞬间过流和连续过流时提供了有较好的保护.

逐周期模式逐周期模式下,当CS脚电压达到电流限制点时,导通时间就被关断.
NCP1562A的电流限制点是0.
2V,NCP1562B是0.
5V跳周期模式传统上,CS脚上的电压高于Vilim,就会触发跳周期模式.
不幸的是,现代控制器的快速响应时间很难让CS脚上的电压高过Vilim点.
NCP1562使用了定时器来代替传统的采用较高电压节点来检测过电流的方式.
通过监控过流限制比较器,如果有一个连续的逐周期电流限制条件存在就会关闭转换器,定时器关闭转换器和转换器关闭的时间由CSKIP脚上的电容来决定.
一旦检测到逐周期电流限制被触发时,跳周期模式检测电路通过一个连续的100uA的电流对CSKIP电容进行充电.
如果过流限制现象仍然存在,CCSKIP将持续被充电直到电压达到跳周期模式最高点(Vcskippeak=3V),一旦达到,转换器将进入到软关断模式,同时CCSKIP将被一个10uA的恒定电流放电.
当VCSKIP电压下降至0.
5V(即较低的跳周期节点时),将重新开始下一个软启动时序.
如果过流状态仍然存在,CSKIP在下一个过流限制周期中将被继续充电,否则,CSKIP就会被放电到0V.
15跳周期电容对之前的过流环境提供记忆效果.
如要连续过流条件在上升到VCSKI(PEAK)前结束,CCSKIP将启动受控放电过程.
如果在CCSKIP被完全放电前再一次检测到连续过流现象,VCCSKIP将会从现有电位基础上充电,用很少的时间达到VCCSKIP(PEAK)值.
图37显示了在连续过电流条件下的操作波形.
为了得到一个最佳操作,跳周期的和电时间应该比软关机的时间要长.

在一些应用上,在检测到跳周期情况时,希望NCP1562被锁定来代替软启动,这个可以通过一个外围锁定电路来达到.
图38和39分别显示了一个集成的和一个分立件的锁定电路.
一般应用时通常把VCSKIP脚上拉到Vref,防止一旦VCSKIP电压达到锁定启动电位,达到谷底最低值.
IngeneralthecircuitsworkbypullingCSKIPtoVref,preventingitfromreachingVcskip(valley)oncetheCSKIPvoltagereachestheturnonthresholdofthelatch.
通过将PIN2过欠压点电压拉低到欠压点以下,Vref失效,即可解除锁定.
图38的锁定电路包含一个ONMINIGATE系列TTL三态输出的缓冲器.
使能端(OE)和输出端(OUTY)端连接到VCSKIP和VCC,同时INA脚连接到VREF,当OE为低位准,缓冲器输出端进入高阻抗模式.
当检测到连续过电流状态时,CSKIP定时器将被触发,CSKIP被充电.
当CSKIP电位达到缓冲器触发点时,缓冲器的输出端被拉到VREF.
锁定CSKIP定时器.
缓冲器的使能端(OE)典型电压为1.
5V.
图39显示了一个使用NMOS和PMOS的分立电路.
当CSKIP电位达到M1的启动点时即会被触发.
当M1开通,将拉低M2,CSKIP将通过M2连接到Vref.
重点在上拉电阻选取正确取值.
如果上拉电阻太大,在VREF充电时不能保持M2关断,将造成变换器在最初开机时锁定.
在这个详细图中,M1的开启点是2V,上拉电阻为24.
9K16前沿消隐在开关过程中,电流检测信号近似于前沿尖峰.
电流检测一般会通过一级RC低通滤波电路滤波以避免电流检测电路的误动作.
然而低通滤波电路不可避免的会造成波形失真,并且增加成本和复杂程度.
NCP1562应用前沿消隐技术将每个电流脉冲的前部70ns消去,这样就可以除去前沿尖峰而且不会改变电流波形.
在软启动时,将关闭消陷时间,因为消隐时间可能会大于启动占空比.
在饱和比较器为低电位时也会关闭,标志着输出并没有受控,这个通常发生在开机或是某一组输出超载期间.
供电和启动电路NCP1562内置的启动电路可以无需外加启动电路.
在正常工作时,由附加绕组供电,这部份电路不会有损耗,从而可以提高变换器的效率.
NCP1562集成了一个最优化的启动电路可以有效减小到供电电容的需要,这个在特殊尺寸限制的应用中是有重要意义的.
启动电路包含一个连续电流源,可以直接从Vin上取电压对VAUX脚的电容进行充电.
启动电流典型值为10mA.
当VAUX被充电到10.
3V时,就会关闭启动电路,同时启动输出,当然是在没有过欠压,跳周期,和热DOWN故障的前提下.
在VAUX电压掉到8V以前,启动电路是不会动作的.
当达到8V,启动电路会被启动.
如果CAUX外的偏置电流在于启动电流,VAUX将被放电,直到达到较低的电压点VAUX(OFF2)=7V.
当达到7V时,输出被关断.
输出被关断,则IC电流就会减小,VAUX将被重新充电.
这种工作模式允许减小VAUX电容的尺寸,因为并不是所以的电源启动电路都要求CAUX储能.
这种供电方式叫做动态自供电(DSS).
图40显示了VAUX(ON),VAUX(OFF1),VAUX(OFF2)和欠压UV的关系.
在UV没有移除和VAUX没达到VAUX(ON)之前,输出电路是不会动作的.
当VAUX电压在VAUX(ON)之上时,启动电路关闭,这个特征允许NCP1562工作在独立的12V供电,如果工作在独立供电,那么Vin和Vaux脚可以连在一起使用.
独立的供电将维持Vaux在Vaux(on)之上.
否则输出锁定将无法设定和输出保持关闭直至问题移除.
启动电路给VAUX脚提供启动电流,建议在Caux和辅助供电间连接一个二极管.
这样可以让NCP1562直接对Caux充电和避免电流流入AUX供电中.
当工作在自偏置和动态自供电模式时,Caux提供电力给NCP1562,在转换器开启期间,Caux的选取必须保证在辅助绕助电压建立过程中的VAUX要大于VAUX(OFF2).
否则VAUX电压不够和NCP1562被关闭.
同时VAUX放电时间(从10.
3V到7.
0V)必须大于软启动的充电时间,以确保转换器的正常开启.
IC的偏置电流,输出门极充电负载(MOSCiss),和5V基准负载都会要求一个正确的Caux.
外部MOS驱动的电流损耗计算如下:Iaux(gatecharge)=f*Qgf:工作频率.
Qg:是门极电容量(Ciss).
17一个内置的监控电路监控Vaux,同时防止在VAUX脚意外短路中造成过多的功率损耗.
当Vaux电压低于1.
2V,启动电路被关闭,内建电流源会以一个50uA电流对VAUX充电.
当VAUX达到1.
2V时,即会开启启动电路.
所以当VAUX低于1.
2V时,要注意VAUX不要带大于50uA的负载,否则VAUX无法被充电.
如果负载大于50uA,可以在Vin和Vaux脚之间串一个电容来帮助Vaux充电到1.
2V.
启动电路的最大额定电压为100V,如果电路工作在DSS(动态自供电模式),功率损耗可以避免超过IC的最大损耗.
如果超过IC的损耗,可以串联一个电阻在Vin脚上,这样可以减少IC的损耗,和将损耗转变到串联电阻上.
输入欠压和过压:通过一个有专利保护的新颖结构功能在同一个PIN脚上实现UV和OV检测功能.
这种结构允许单独设定过压和欠压点.
UV和OV都会有100mV的滞后.
外接电阻分压器为图42:欠压条件是过欠压脚电压低于欠压点,典型的2.
0V,R1和R2的比率决定欠压启动点.
如果UVOV点电压超过2.
5V,一个内置电流源(Ioffset(OVUV))将以50uA注入注到UVOV脚,当R1上流过的电流不足Ioffset(OVUV),这样使得UVOV脚电压可以被钳位在2.
5V.
如果输入电压持续增加,超过50uA的电流18源,那么UVOV点的电压将会上升.
过压条件是UVOV脚上电压超过OVP点,典型值为3.
0V.
图43显示了输入电压和UVOV点之间的关系.
当内置电流源关闭时,UVOV电压由R1和R2的分压比决定.
转换器可以启动的输入电压由等式1决定.
一旦内置电流源启动,TURNOFF点电压将由R1的绝对值和R1,R2之和决定.
具体如等式2所示.
欠压点将因为生产商得到3%的精度而能够平衡.
如果输入电压在正常工作范围内,Vaux电压达到Vauxon,就会启动输出和软启动时序动作.
如果随后发现欠压或是过压现象,转换器就会时入到软关断模式.
一个小电容大于1000pF连接在UVOV点与地间,以防止UVOV脚与滤波器的瞬态振荡.
输入电压前馈:NCP1562合成了一个输入电压前馈来限制最大伏秒积.
ItisthelinevoltagetimestheONtime.
这个限制用来防止在正激和反激电路拓扑中的变压器饱和.
电压前馈的另外一个好处就是输入电压受控频率增益的独立.
一个恒定的增益可以促进转换器的频率补偿.
通过产生一个与Vin电压成比例的斜坡与误差信号相比较来实现电压前馈.
在输入电压固定的时候,误差信号单独控制占空比.
如果输入电压变化,FF电压斜坡也会跟着改变,占空比也会随即调整,以取代等待反馈回路调整和回馈电压到误差信号的时间.
FF上升斜坡是通过外接一个从Vin电压上分压下来的RC来实现的.
如图44所示,分压器的选择以上升斜坡达到3.
0V的时间来决定最大开通时间.
通过在OFF时对Cff电容有效接地来终止FF斜坡.
这个可以通过Vff电压斜坡达到3.
0V来触发,或是其它可以限制占空比的方式.
Vff脚在正常工作模式或是待机模式时需要被有效接电放电,以防止被充电到Vin电压.
(也就是每一个周期都要被有效放电在OUTPUT1OFF的时候).
19Rff电阻的最小值由放电电流Iffd来决定.
为了达到时显示的FF电压斜坡,Rff(Irff)电流必须最少得比Iff(D)电流小十倍.
等式3和4用来定义Rff和Cff3.
.
.
.
.
Vin/(10*Iff(D))<=Rff4.
.
.
.
.
Cff=D/[(ln(Vin/(Vin-3V)))*f*Rff].
这里的f是工作频率,建议为了有个好的信噪比应该为FF电路提供充够的电流.
PWM比较器在正常工作状态时,PWM比较器通过比较误差信号和FF斜坡来决定占空比.
这个误差信号是加入到Vea脚.
Vea脚可以直接连接光电耦合器,而并不需要外接上拉电阻.
如图45所示.
在一些应用场合需要外接一个小于内置R4的上拉电阻至Vref,来调整隔离型TOP的增益.
这个可以与R4并联一个外部电阻REA即可以实现.
REA连接在VREF和VEA之间,有效上拉阻抗是R4和REA的并联参数.
VEA脚通过简单内部集成一个串联二极管和电阻.
串联二极管在VEA输入和PWM比较器的反向输入端之前提供了一个0.
7V的压降.
这样可以允许占空比下降到零,而且不用将VEA脚拉低到地.
当Vea电压接近0.
5V大于FF斜坡的谷底时,将启动输出.
20输出NCP1562有两个可调死区时间的同相的输出驱动.
主要输出,OUT1,带一个4R的上升电阻和一个2.
5R,辅助输出输入电阻均为12R.
OUT1最大驱动电流2A,OUT2最大输出为1A如果需要更强的驱动则需要外接驱动电路如图46所示.
OUT1驱动主MOS,OUT2驱动一个P沟有源钳位MOS.
或是高边钳位或二次同步整流.
OUT2故意设计驱动电流小于OUT1,因为他只是流过钳位电流.
然而,一个小Ciss小电流的MOS,来做有源钳位即可.
在没有故障出现的前提下,当VAUX上升到Vaux(on)10.
3V时,内部启动电路关断,同时开始输出.
否则输出会保持关断直到故障排除,同时VAUX电压要达到10.
3V电压点.
如果VAUX低于VAUX(ON)或者VAUX还低于7V,则会一个软关断时序后关闭输出.
输出是直接从VAUX上取的偏置电压,所以高电位接近VAUX.
所以最大VAUX辅助供电电压不能大于主MOS或是钳位MOS的最大钳位电压.
大的电流驱动会产生自感应尖峰如果无法减少输出自感系数,所以驱动和负载的走线要尽量短和粗.

21交迭延时交迭延时可以防止主MOS和钳位MOS的共态直通现象.
第二个输出,在低电位到高电压的转换过程中超前OUT1.
同时在高到低电位转换的程中滞后于OUT1.
图47显示了输出1和2之前的关系.
交迭延时时间由连接在第11脚的下地电阻来确定.
延时时间与电阻成比例的.
如果Td直接下地的话则只有20ns的延时.
前端延时时间故意比下降时间设定得长些.
这样允许使用者优化主开关的开通延时和确保钳位开关始终在零电压开关状态.
模拟地和功率地(PGND)NCP1562有个模拟地GND和一个功率地PGND,模拟地是VREF,RTCT和FF连接地,而PGND是给大电流连接,比如内部输出驱动.
建议是一个单独的模拟地和一个单独的功率地,然后采用单点地连接.
连接到系统地更适合的地方.
这样可以防止PGND的地电流噪音流入模拟GND.
PGND的连接尽可能短而宽以尽可能的减少自感干扰.
振荡器振荡频率和最大占空比是通过RTCT连接到VREF来设定的,如图48所示.
当Ct电容被充电到最高峰值3.
0V后将会被一个500uA电流源(IRTCT)放电.
一旦Ct电容被放电到最低谷值2.
0V时,Irtct就会关闭,同时重新通过RT对CT进行充电.
最终在RTCT脚上测试出来的波形象锯齿波.
当Vrtct电压达到最低点2.
0V时,OUT2即变为高电位.
紧跟着变为高电平的是被交迭延时后的OUT1,当Vrtct达到峰值3.
0V时,OUT1变为低电平,紧跟着变为低电平的是被tD延时后的OUT2占空比是Ct充电时间(Trtct)减去交迭延时后的总的充电和放电时间.
充电和放电时间通过等式5和6来计算.
然而这些等式也只是近似值,因为他们并没有把内部比较器的延时计算在内.

占空比D,通过等式7来计算,代换等式5,6,7和经过数学处理计算和代换一些参数,可以简化如下式.
22通过观察我们可以发再D是由RT,CT和tD来共同决定的.
这个等式有两个变量,可以通过迭代计算解决.
一般来说,延时时间只是开通时间的一小部份,在初次的近似计算中可以忽略.
那就可以通过选取Rt来设定特定的占空比了.
一旦RT设定好了,那么就可以通过等式9的计算来获得理想工作频率的CT了.
图23到26显示了几个不同RT电阻在相同CT电容的基础下测出来的频率和占空比.
RT最好是不要小于6K.
否则RTCT充电电流将会超过下拉电流,同进振荡器的工作将会变得不稳定.
同步器一个独立双向频率同步器结构允许多个NCP1562同步到一个主副结构中.
他们可以同步到低于或是高于自由工作的那个频率.
在RTCT斜坡的充电期间,SYNC脚保持高阻抗模式,在这个时间振荡器接受外来的SYNC同步信号.
如果没有发现有脉冲大于RTCT斜坡PEAK值,将会产生一个100nS的同步信号,这个同步脉冲是通过把同步信号脚连接到参考电压VREF脚上产生.
SYNC脚的电压峰值典型值是4.
3V,当100ns定时器结束时,SYNC脚即会进入高阻抗模式,然后通过外部电阻来拉低电位.
如图49所示.
SYNC脚的回转斜率(即是上升和下降斜率)是通过这个P脚的电容和外部下接电阻来定义的.
SYNC脚最大电流源为1mA.
以在下个周期开始前能完成放电来决定tD大小的.
如果在内部脉冲产生前有接收到外部脉冲,好么控制器将会时入到副属工作模式.
如果工作在附属模式,CT开始被放电,RTCT斜坡的较高点(PEAK)将增加到4.
0V.
如果控制器在附属工作模式时,在RTCT电位达到4.
0V之前,没有接收到同步脉冲,那么较高点仍然会被设定回3.
0V,同时变换器将工作回主机模式.
为了确保转换器工作在附属模式,主控制器的最小时钟周期要小于2V到4V的充电时间.
NCP1562的同步需要将SYNC脚连接在一起,在开机时产生同步脉冲的IC成为主控制器.
一个二极管串联在两个ICSYNC脚之间用来设定一人固定的主控IC.
二极管可以防止主控制器接收来自从控制器的信23号.
如图50所示.
5.
0V电压参考NCP1562有一个精密的5V基准电压输出.
它是内部基准的缓冲.
5V基准直接由VAUX提供偏置,最大可以提供5mA的电流输出.
在指定的工作范围内,负载调整率在50mV,输入调整率在100mV,需要外接一个电容来做旁路.
旁路电容用来作为内部调整器的补偿和主频噪音滤波.
电容连接在VREF对地端.
一般最大用到0.
1UF就足够了.
需要较大的电容来减少由振荡造成的电压纹波.
推荐的电容容量由0.
047UF到1.
0UF均可.
在开机过程中,只要VAUX达到VAUX(ON)且不存欠压问题,VREF即会产生输出.
否则,没有解决UV和VAUX电压之前,VREF是没有输出的.
如果在参考电压正常以后有检测到欠压UV功能,在执行软关断是序后,UV仍然没有解决,参考电压会被关闭.
如果在软关断结束之前解决UV问题,则VREF仍然有效.
应用信息ONSEMI有提供一个电子设计工具,一个DEMO板,和一些应用注意事项以便更快的设计NPC1562.
所在工具均可以在WWW.
ONSEMI.
COM网站上下载.
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