阈值电压MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少？

什么是门电路的阈值电压，开门电平，关门电平

开门电平:当电路输入端接额定负载时,使电路输出端处于低电位上限所允许的最低输入电位. 关门电平:使电路输出端处于高电位下限所允许的最高输入电位. 阈值电压:通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压. 噪声容限:在前一极输出为最坏的情况下,为保证后一极正常工作.所允许的最大噪声幅度.

阈值电压的MOS管的阈值电压探讨

展开全部 MOS管的阈值电压等于backgate和source接在一起时形成channel需要的gate对source偏置电压。

如果gate对source偏置电压小于阈值电压，就没有channel。

一个特定的晶体管的阈值电压和很多因素有关，包括backgate的掺杂，电介质的厚度，gate材质和电介质中的过剩电荷。

每个因素都会被简单的介绍下。

Bakegate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。

如果backgate越重掺杂，它就越难反转。

要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。

MOS管的backgate掺杂能通过在gate dielectric表面下的稍微的implant来调整。

这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。

考虑一下Vt调整implant对NMOS管的影响。

如果implant是由eptors组成的，那么硅表面就更难反转，阈值电压也升高了。

如果implant是由donors组成的，那么硅表面更容易反转，阈值电压下降。

如果注入的donors够多，硅表面实际上就反向掺杂了。

这样，在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的channel。

随着GATE偏置电压的上升，channel变得越来越强的反转。

随着GATE偏置电压的下降，channel变的越来越弱，最后消失了。

这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。

这样的晶体管称为耗尽模式NMOS，或简单的叫做耗尽型NMOS。

相反，一个有正阈值电压的的NMOS叫做增强模式NMOS，或增强型NMOS。

绝大多数商业化生产的MOS管是增强型器件，但也有一些应用场合需要耗尽型器件。

耗尽型PMOS也能被生产出来。

这样的器件的阈值电压是正的。

耗尽型的器件应该尽量的被明确的标识出来。

不能靠阈值电压的正负符号来判断，因为通常许多工程师忽略阈值电压的极性。

因此，应该说“阈值电压为0.7V的耗尽型PMOS”而不是阈值电压为0.7V的PMOS。

很多工程师会把后者解释为阈值电压为-0.7V的增强型PMOS而不是阈值电压为+0.7V的耗尽型PMOS。

明白无误的指出是耗尽型器件可以省掉很多误会的可能性。

继续探讨阈值电压，电介质在决定阈值电压方面也起了重要作用。

厚电介质由于比较厚而削弱了电场。

所以厚电介质使阈值电压上升，而薄电介质使阈值电压下降。

理论上，电介质成分也会影响电场强度。

而实际上，几乎所有的MOS管都用纯二氧化硅作为gate dielectric。

这种物质可以以极纯的纯度和均匀性生长成非常薄的薄膜；其他物质跟它都不能相提并论。

因此其他电介质物质只有很少的应用。

（11 也有用高介电常数的物质比如氮化硅作为gate dielectric的器件。

有些作者把所有的MOS类晶体管，包括非氧化物电介质，称为insulated-gate field effect transistor（IGFET）） gate的物质成分对阈值电压也有所影响。

如上所述，当GATE和BACKGATE短接时，电场就出现在gate oxide上。

这主要是因为GATE和BACKGATE物质之间的work function差值造成的。

大多数实际应用的晶体管都用重掺杂的多晶硅作为gate极。

改变多晶硅的掺杂程度就能控制它的work function。

GATE OXIDE或氧化物和硅表面之间界面上过剩的电荷也可能影响阈值电压。

这些电荷中可能有离子化的杂质原子，捕获的载流子，或结构缺陷。

电介质或它表面捕获的电荷会影响电场并进一步影响阈值电压。

如果被捕获的电子随着时间，温度或偏置电压而变化，那么阈值电压也会跟着变化。

12V7.5Ah蓄电池涓流充电的阈值电压VT一般为多大？

作为备用的蓄电池的大部分生命周期在浮充状态下度过，即恒压充电状态下；copy放电的情况不一致（放电率不一致，环境温度差别，电池材料，结构多种因素）确切的阈值电压UT不能一概而论； 四段充电的第一个阶段设置涓流充电的目的是防止放电zd电压跌落太多，充电电流过大，影响电池。

故涓流充电的充电电流IT的确定值讨论意义不大。

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MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少？

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，MOSFET的重要参数之一 。

MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。

如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。

扩展资料： PMOS的工作原理与NMOS相类似。

因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型。

PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。

同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

参考资料来源：百度百科-mos管