三星深圳dns

深圳市富满电子集团股份有限公司SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.
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XPD545(文件编号:S&CIC1624)USBPowerDelivery控制器Version1.
1第1页共11页Copyright2017,云矽半导体1特性支持USBType-C协议-配置为DFP(Source)-广播3A电流支持USBPowerDelivery(PD)3.
0协议-集成完整PD3.
0分层通信协议-PDO电压:5V,9V,12V,15V-PIN选功率高至45W支持QuickCharge3.
0/2.
0协议支持华为FCP/SCP协议支持三星AFC协议支持MTKPE+协议支持USBBC1.
2DCP支持Apple2.
4A充电规范集成VBUS通路低阻抗功率开关管VBUSDischarge功能支持NTC待机功耗20A安全性-过压/欠压保护-过流保护-过温保护CC1/CC2/DP/DM过压保护ESD特性-CC1/CC2/DP/DM>8KV-Others>2KVPackage:5.
00mm*4.
40mmTSSOP162应用AC-DC适配器USB充电设备3应用简图深圳市富满电子集团股份有限公司SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.
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1第2页共11页Copyright2017,云矽半导体4概述XPD545是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)3.
0、QC3.
0/2.
0CLASSA快充协议、华为FCP/SCP快充协议、MTKPE+快充协议、三星AFC快充协议、BC1.
2DCP以及苹果设备2.
4A充电规范的多功能USB端口控制器,为AC-DC适配器、移动电源、车载充电器等设备提供完整的USBType-C端口充电解决方案.
XPD545内置的TYPE-C协议可以支持TYPE-C设备插入自动唤醒系统,智能识别插头的正插与反插,实现连接.
集成的TYPE-CPD3.
0协议支持双向标记编码(BMC),集成硬件的物理层协议和协议引擎,无需软件参与编解码.
XPD545可以通过PINPSEL灵活设置输出的功率等级,包括18W/24W/30W/36W/45W.
XPD545通过一路可Sink/Source的电流源,连接到AC-DC或DC-DC的反馈引脚实现动态调节电压的功能,不管是启动还是调压过程,都具备软启动/调压功能,实现电压平顺过渡.
XPD545内建多种保护机制确保设备安全:包括动态过压/欠压/过流保护(可根据设备请求的工作电压/电流按照比例调整保护点);芯片内部过温和NTC过温(NTC过温会关闭快充);启动监测(VBUS输出前会监测端口电压是否处于安全状态);DP/DM和CC1/CC2过压保护.
此外,这些错误发生时FAULT端口都会指示.
XPD545集成25mΩVBUS通路功率开关管和6Ω的放电开关,节省了外围器件,在发生错误时也可以更快关闭输出并恢复到安全状态.
XPD545具备良好的功耗管理策略,在无设备插入时自动进入休眠模式,此时待机功耗仅20uA,设备插入后可以及时唤醒进入正常工作状态.
XPD545有良好的ESD特性,HBM模型超过2kV.
特别针对连接到端口的PIN(DP/DM/CC1/CC2)做加强处理,HBM模型ESD达到8kV以上.
XPD545采用5.
00mm*4.
40mmTSSOP-16封装形式.
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1第3页共11页Copyright2017,云矽半导体5引脚定义引脚名称描述1VBUSVBUS输出2VBUSVBUS输出3DSCGVBUS电流泄放端口4FAULT错误指示,开漏输出5PSELXPD545:PDO广播功率选择6SHDNNTC过温保护(禁止快充)7FBO电压调节端口(接到系统电压反馈点)8DMUSBDM9DPUSBDP10CC1Type-C检测引脚CC111CC2Type-C检测引脚CC212GND接地13VAUX内部电源(接1uf电容)14NGATENMOSswitch驱动(外接NMOS时用)15VPWR电源输入16VPWR电源输入6订购信息料号印字特性封装XPD545XPD545XXXXXX+XXPDO:5V档为3A;最高至45W输出功率TSSOP16XPD545B2XPD545XXXXXX+XXPDO:5V档为2.
4A;最高至45W输出功率TSSOP16印字说明:第一行,XPD545:芯片型号;第二行,XXXXXX:LotNumber,XX:保留信息深圳市富满电子集团股份有限公司SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.
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1第4页共11页Copyright2017,云矽半导体7规格参数7.
1极限工作参数(1)参数最小值最大值单位耐压(对GND)NGATE,VBUS,VPWR,DSCG-0.
318VV(NGATE)–V(VBUS)-0.
37V其他-0.
36V结温-40150存储温度-65150(1)超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏.
长期工作在极限额定值下可能会影响器件的可靠性.
7.
2ESD性能符号参数值单位VESDCC1/CC2/DP/DM±8000VOthers±2000VESD测试基于人体放电模型(HBM).
7.
3推荐工作条件参数最小值典型值最大值单位VPWR输入电压4.
515VRDSCG放电限流电阻50200ΩCVAUXVAUX电容0.
12.
2FCVBUSVBUS电容2.
210FRFBUP系统电压分压电阻100kΩTA工作环境温度-40857.
4热阻值符号参数值单位RθJA结温和周围温度之间的热阻(1)100/WRθJCtop结温和封装外壳表面温度之间的热阻36RθJB结温和板温度之间的热阻45深圳市富满电子集团股份有限公司SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.
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1第5页共11页Copyright2017,云矽半导体7.
5电气特性如无特殊说明,下述参数均在该条件下取得:TJ=25℃,5V≤VPWR≤15V,VAUX并联1uF电容参数测试条件最小典型最大单位芯片供电相关(VPWR,VBUS)VVPWR_THVPWRUVLO门限Risingedge3.
7VFallingedge3.
4Hysteresis0.
3VVBUS_THVBUSUVLO门限Risingedge4.
45VFallingedge3.
9Hysteresis0.
55IVPWR待机电流VPWR=5V,CCxopen20uAISUPP典型工作电流VPWR=5V,VBUS=5V2mAVoltageProtection(VBUS)VFOVPFastOVP门限,alwaysenabledReftotargetvoltage+20%VVSOVPSlowOVP门限Reftotargetvoltage+15%VVSUVPVBUSUVP门限Reftotargetvoltage-22%VVAUXVVAUXOutputvoltage0≤IVAUX≤IVAUX_EXT3.
65VIVAUX_EXTExternalloadallowed5mADischarge(DSCG)FastdischargeONstate(linear)Internalswitch6ΩSlowdischargeONstate(saturation)Internalresistor1000ΩSwitchMOSFETRDSON25mΩNMOSgatedriver(NGATE,GDNS)INGATEONSourcingcurrent0V≤VGDNS≤25V,0V≤VNGATE-VGDNS≤6V10uAVNGATEONSourcingvoltage(VNGATE-VGDNS)0V≤VGDNS≤25V,INGATEON≤4uA46VTransmitter(CC1,CC2)RTXOutputresistanceDuringtransmission50ΩVTXHITransmitHIGH1.
25VVTXLOTransmitLOW-7575mVtUIBitunitinterval3.
3ustBMCRise/falltimeofBMCRload=5.
1k,Cload=1nF300600nsReceiver(CC1,CC2)VRXHIReceiveHIGH800840885mVVRXLOReceiveLOW485525570IRP_SRCCC1/CC23ADFPmode,0304330356uA深圳市富满电子集团股份有限公司SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.
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1第6页共11页Copyright2017,云矽半导体Broadcastingcurrent1.
5ADFPmode,0166180194uAVOVP_CCCC1/CC2过压保护阈值5.
5VOCP(ISEN,VBUS)VITRIPShuntvoltagewhenOCPtrippedReftoPowerCapability(pd)+30%AOTP(internal)TJ1DietemperatureTemperaturerisingedge125135145℃Hysteresis20℃SHDNVOTPDETExternalOTPbasedonNTCTemperaturerisingedge0.
3VVAUXHysteresis0.
1VVAUXHVDCPinterface(DP,DM)VDAT(REF)数据线检测电压0.
250.
3250.
4VVSEL(REF)输出电压选择1.
822.
2VTGLITCH(DP)HIGHD+高电平扰动滤波时间11.
251.
5sTGLITCH(DM)LOWD-低电平扰动滤波时间1msTGLITCH(V)CHANGE输出电压扰动滤波时间204060msTGLITCH(CONT)CHANGE连续模式的扰动滤波时间100150200usRDAT(LKG)D+漏泄电阻300500800KΩRDM(DWN)D-下拉电阻14.
2519.
5324.
5KΩRON(N1)开关N1导通电阻40100ΩVTH(PD)受电设备连接检测电压阈值0.
250.
3250.
4VTDPD受电设备连接检测滤波时间120160200msΔIT(UP)电压升高时电流源阶跃步长RIREF=100KΩ2uAΔIT(DO)电压降低时电流源阶跃步长RIREF=100KΩ2uAVOVP_DPDMDP/DM过压保护阈值5.
5VApple2.
4A充电模式VDAT(2.
7V)D+/D-数据线电压2.
572.
72.
84VRDAT(2.
7V)D+/D-数据线输出阻抗15KΩFCP充电模式VTX-VOHD-FCPTXValidHigh2.
7VVTX-VOLD-FCPTXValidLow0.
3V深圳市富满电子集团股份有限公司SHENZHENFINEMADELECTRONICSGROUPCO.
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1第7页共11页Copyright2017,云矽半导体VRX-VIHD-FCPRXValidHigh1.
2VVRX-VILD-FCPRXValidHigh0.
9VTriseFCPPulseRiseTime10%-90%2.
5usTfallFCPPulseFallTime90%-10%2.
5us8功能描述8.
1PDO广播配置XPD545利用PINPSEL连接不同电平来设置DFP端所提供的功率等级,共有18W,24W,30W,36W和45W五种不同PDO集合设置,分别对应PINPSEL连接到GND,1/3VAUX分压点,悬空,2/3VAUX分压点和VAUX.
PSELGND(18W)1/3*VAUX(24W)Floating(30W)2/3*VAUX(36W)VAUX(45W)5V3A3A3A3A3A9V2A2.
5A3A3A3A12V1.
5A2A2.
5A3A3A15V--2A2.
5A3APSEL端口说明:端口PSEL在内部为200k电阻对VAUX进行分压,外部设定1/3和2/3VAUX的时候需考虑内部电阻的影响.
8.
2Discharge功能为了确保电压变化或者异常保护下VBUS的电压在规定时间内满足PD要求,XPD545具有Discharge功能,使用Discharge功能必须在DSCG和VBUS之间串联一个限流电阻,推荐值为50-100Ω(VBUS并联10uF电容情况下,推荐使用1/4W或更高功率封装电阻).
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1第8页共11页Copyright2017,云矽半导体8.
3FBOXPD545通过FBOSource/Sink电流(2uA/step)来实现调压,因而FBO需接入系统电压反馈点(Rup必须为100k).
8.
4SHDN配置SHDN可用来关闭快充功能(拉低)或是外接NTC来实现高温关闭快充(触发点为0.
3VAUX).
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1第9页共11页Copyright2017,云矽半导体8.
5FAULT指示XPD545在发生过压、过流或者过温等异常情况的时候,FAULT端口会下拉.
8.
6NGATE对于存在VBUS电压高于VPWR的应用,在输出处串联一个NMOS开关可避免电流倒灌问题,外接串联NMOS使用NGATE来驱动.
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7LAYOUT注意事项1.
VAUX到地电容尽量靠近PIN.
2.
尽量避免FBO连线受到干扰.
3.
Discharge限流电阻需考虑功率耗散能力.
4.
SHDN不能悬空,若不使用该功能要将其接到VAUX.
5.
若不使用NGATE功能,NGATE需悬空.
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1第11页共11页Copyright2017,云矽半导体9封装尺寸