内存时序内存的时序应该怎么看?

内存时序的作用是什么，从内存时序能看出内存的什么东西来？

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。“2-2-2-8” 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上;RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间;Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间;Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

内存时序啥意思

内存时序包含以下四个参数： CAS Latency Time Active to Percharge Delay DRAM RAS# TO CAS DELAY DRAM RAS# PERCHARGE 5-5-5-15 分别是以上参数项目对应的数据（顺序不一定对应于以上参数项目）。 这些参数设置的越小，内存处理数据越快，但是越不稳定；反之较慢，但是稳定性提高，因此需要设置合适的内存时序，一般情况下，设置自动获取内存时序就可以了，就是把DRAM Timing Selectable 设置为 By SPD 。（需要设置为Manual 才可以修改时序）。 内存上1000，指的是内存的频率，就是Memory Frequency ，在BIOS里面，需要处以2 ，就是把内存外频设置为500.

内存的时序应该怎么看?

667和800的官方默认时序都是 5-5-5-15 5-5-5-15分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS的值 tRAS： tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序)，但发生的不多。 CAS: CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低越好。 tRCD: 根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。 tRP: tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。