英特尔金士顿u盘真伪

英特尔与美光3DXPoint技术掀起闪存市场8.
5级强震2015-07-29作者:崔昊来源:WatchStor在美国犹他州的Lehi工厂,英特尔与美光正在合作出产一种全新的非易失性存储技术产品,该技术被称为3DXPoint,2016年将正式面向市场出货.
据美国时间7月28日刚刚举行的电话会议中信息显示,与NAND相比,3DXPoint技术的速度提升高达1000倍.
英特尔公司资深副总裁兼非易失性存储器(NVM)解决方案事业部总经理RobCrooke在面向媒体的电话会议中表示:"现已投入生产的3DXPoint技术是存储器制程技术的一项重大突破,也是自1989年NAND闪存推出至今的首款基于全新技术的非易失性存储器.
"3DXPoint由英特尔和美光合作研发及生产,延迟水平以纳秒计算,这远超NANDFlash以微秒计算的延迟水平,除性能指标大幅提升之外,耐用性也将提高1000倍,这也就意味着当前困扰NANDFlash的写入性能下降和闪存耐久度问题将得到解决.
此外,RobCrooke表示,存储密度将比DRAM提高10倍.
美国犹他州Lehi的英特尔/美光联合工厂,3DXPoint就是在这里生产的,天确实是蓝,雪也确实是干净啊!
英特尔方面表示,这一技术的研发周期已经超过十年,该技术能够以较低成本满足用户在非易失性、高性能、高耐用性和高容量方面对存储与内存的需求.
更为关键的是,它开创了一种可显著降低延迟的新型非易失性存储器,使得在靠近处理器的位置存储更多数据成为可能,并以此前的非易失性存储无法达到的速度来访问更多数据.

改善数据中心I/O表现颠覆NANDFlash市场就当前数据中心所面临的挑战来看,英特尔每年以Tick-Tock战略提升x86处理器性能,并持续突破了20nm、14nm以及10nm等制程工艺的关键节点,但数据中心的I/O问题仍然非常突出,因此在最近几年,英特尔加大了在整个数据中心I/O表现优化方面的投入力度.
一方面,通过不断将内存控制器、PCIe控制器等功能添加到处理器中,英特尔加快了处理器和I/O通道的连接速度;其次,英特尔在NANDFlash领域加速布局,成为目前市场上非常重要的SSD供应商,解决了HDD的I/O瓶颈问题,极大的提高服务器的性能;第三,英特尔成为当前高性能数据中心网络连接的前沿供应商,其100Gbit/s硅光子技术对原有的供应商,如Mellanox等产生巨大的挑战.
3DXPoint即是上述第二点中的巨大飞跃,英特尔与美光基于更少晶体管数量构建的创新型交叉点架构建立了一个存储单元位于字线和位线交叉点的"三维棋盘",以支持对单个存储单元的独立访问.
基于这个架构的存储器,数据可以作为更小的片段进行写入和读取,从而实现更快速、更高效的读取/写入操作.
3DXPoint的架构,右下方是与DRAM的密度比较,从图示看是9倍密度,但有可能这只是图示,不代表真正的密度(10倍密度)的形态.
英特尔向媒体透露的有关该架构的情况包括:交叉点阵列结构——垂直导线连接着1280亿个密集排列的存储单元.
每个存储单元存储一位数据.
借助这种紧凑的结构可获得高性能和高密度位.
可堆叠——除了紧凑的交叉点阵列结构之外,存储单元还被堆叠到多个层中.
目前,现有的技术可使集成两个存储层的单个芯片存储128Gb数据.
未来,通过改进光刻技术、增加存储层的数量,系统容量能够获得进一步提高.
选择器——存储单元通过改变发送至每个选择器的电压实现访问和写入或读取.
这不仅消除了对晶体管的需求,也在提高存储容量的同时降低了成本.
快速切换单元——凭借小尺寸存储单元、快速切换选择器、低延迟交叉点阵列和快速写入算法,存储单元能够以高于目前所有非易失性存储技术的速度切换其状态.