寄存器ie缓存位置

三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第1页版本3.
1RN8302B用户手册日期:2011-6-20初次发布日期:2013-8-16升级至版本:2.
2日期:2013-12-25升级至RN8302B(版本v3.
0)日期:2014-7-15升级至RN8302B(版本v3.
1)日期:2014-12-31升级至RN8302B(版本v3.
2)日期:2016-2-15升级至RN8302B(版本v3.
3)三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第2页版本3.
3V2.
0修订说明修订点修订说明基准电压1.
温度系数由典型值25ppm/℃改为典型值5ppm/℃;2.
增加基准电压监测功能有功误差Ib点(50mV)跳动改善为ZXOT,且正向过零时,ZXINIF置1.
若ZXINIE=1,会导致INTN引脚由高到低翻转.
ZXINIF写1清零同时清中断.
ZXINIEZXINIF6IC正向过零中断当IC>ZXOT,且正向过零时,ZXICIF置1.
若ZXICIE=1,会导致INTN引脚由高到低翻转.
ZXICIF写1清零同时清中断.
ZXICIEZXICIF5IB正向过零中断当IB>ZXOT,且正向过零时,ZXIBIF置1.
若ZXIBIE=1,会导致INTN引脚由高到低翻转.
ZXIBIF写1清零同时清中断.
ZXIBIEZXIBIF4IA正向过零中断当IA>ZXOT,且正向过零时,ZXIAIF置1.
若ZXIAIE=1,会导致INTN引脚由高到低翻转.
ZXIAIF写1清零同时清中断.
ZXIAIEZXIAIF3UC正向过零中断当UC>ZXOT,且正向过零时,ZXUCIF置1.
若ZXUCIE=1,会导致INTN引脚由高到低翻转.
ZXUCIF写1清零同时清中断.
ZXUCIEZXUCIF2UB正向过零中断当UB>ZXOT,且正向过零时,ZXUBIF置1.
若ZXUBIE=1,会导致INTN引脚由高到低翻转.
ZXUBIF写1清零同时清中断.
ZXUBIEZXUBIF1UA正向过零中断当UA>ZXOT,且正向过零时,ZXUAIF置1.
若ZXUAIE=1,会导致INTN引脚由高到低翻转.
ZXUAIF写1清零同时清中断.
ZXUAIEZXUAIF0波形采样中断和波形采样寄存器同步8Khz速率刷新.
WAVUDIF写1清零.
若WAVUDIE=1,清零同时清中断.
WAVUDIEWAVUDIF表2-6-2RN8302BNVM1下中断编号中断功能描述中断使能中断标志1NVM1模式切换见寄存器NVM1IE,NVM1IF章节NVM1IENVM1Done表2-6-3RN8302BNVM2下中断编号中断功能描述中断使能中断标志1NVM2模式切换和电流比较完成见寄存器NVM2IE,NVM2IF章节NVM2IENVM2Done说明:1.
RN8302B中断和工作模式相关:EMM下的中断在低功耗模式下不起作用.
NVM1中断仅在NVM1下起作用,NVM2中断在NVM2下起作用,在其他模式下不起作用.
2.
IF既是状态寄存器也是中断标志寄存器,IF不受IE中断允许的控制.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第24页版本3.
33寄存器3.
1参数寄存器列表表3-1参数寄存器(Bank0,地址映射参见5.
1章SPI地址空间描述)列表地址名称R/W字长EMM上电复位值功能描述全波计量参数寄存器00HUAWAVR3--A相电压采样数据01HUBWAVR3--B相电压采样数据02HUCWAVR3--C相电压采样数据03HIAWAVR3--A相电流采样数据04HIBWAVR3--B相电流采样数据05HICWAVR3--C相电流采样数据06HINWAVR3--零线电流采样数据07HUAR4--A相电压有效值08HUBR4--B相电压有效值09HUCR4--C相电压有效值0AHUSUMR4--电压矢量和有效值0BHIAR4--A相电流有效值0CHIBR4--B相电流有效值0DHICR4--C相电流有效值0EHINR4--零线电流有效值0FH保留0x000000保留10HISUMR4--电流矢量和有效值11HIA_NVM1R30x000000NVM1A相电流有效值12HIB_NVM1R30x000000NVM1B相电流有效值13HIC_NVM1R30x000000NVM1C相电流有效值14HPAR4--A相有功功率15HPBR4--B相有功功率16HPCR4--C相有功功率17HPTR4--合相有功功率18HQAR4--A相无功功率19HQBR4--B相无功功率1AHQCR4--C相无功功率1BHQTR4--合相无功功率1CHSAR4--A相视在功率1DHSBR4--B相视在功率1EHSCR4--C相视在功率1FHSTAR4--RMS合相视在功率三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第25页版本3.
320HPfAR3--A相功率因数21HPfBR3--B相功率因数22HPfCR3--C相功率因数23HPfTAR3--RMS合相功率因数24HPAFCntR/W3--A相有功快速脉冲计数25HPBFCntR/W3--B相有功快速脉冲计数26HPCFCntR/W3--C相有功快速脉冲计数27HPTFCntR/W3--合相有功快速脉冲计数28HQAFCntR/W3--A相无功快速脉冲计数29HQBFCntR/W3--B相无功快速脉冲计数2AHQCFCntR/W3--C相无功快速脉冲计数2BHQTFCntR/W3--合相无功快速脉冲计数2CHSAFCntR/W3--A相视在快速脉冲计数2DHSBFCntR/W3--B相视在快速脉冲计数2EHSCFCntR/W3--C相视在快速脉冲计数2FHSTFACntR/W3--RMS合相视在快速脉冲计数30HEPAR3--A相有功能量寄存器31HEPBR3--B相有功能量寄存器32HEPCR3--C相有功能量寄存器33HEPTR3--合相有功能量寄存器34HPosEPAR3--A相正向有功能量寄存器35HPosEPBR3--B相正向有功能量寄存器36HPosEPCR3--C相正向有功能量寄存器37HPosEPTR3--合相正向有功能量寄存器38HNegEPAR3--A相反向有功能量寄存器39HNegEPBR3--B相反向有功能量寄存器3AHNegEPCR3--C相反向有功能量寄存器3BHNegEPTR3--合相反向有功能量寄存器3CHEQAR3--A相无功能量寄存器3DHEQBR3--B相无功能量寄存器3EHEQCR3--C相无功能量寄存器3FHEQTR3--合相无功能量寄存器40HPosEQAR3--A相正向无功能量寄存器41HPosEQBR3--B相正向无功能量寄存器42HPosEQCR3--C相正向无功能量寄存器43HPosEQTR3--合相正向无功能量寄存器44HNegEQAR3--A相反向无功能量寄存器45HNegEQBR3--B相反向无功能量寄存器46HNegEQCR3--C相反向无功能量寄存器47HNegEQTR3--合相反向无功能量寄存器48HESAR3--A相视在能量寄存器三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第26页版本3.
349HESBR3--B相视在能量寄存器4AHESCR3--C相视在能量寄存器4BHESTAR3--RMS合相视在能量寄存器4CHSTVR4--PQS合相视在功率4DHPfTVR3--PQS合相功率因数4EHSTFVCntR/W3--PQS合相视在快速脉冲计数4FHESTVR3--PQS合相视在能量寄存器基波谐波计量参数寄存器50HYUAR30x000000采样通道UA基波相角寄存器51HYUBR3--采样通道UB基波相角寄存器52HYUCR3--采样通道UC基波相角寄存器53HYIAR3--采样通道IA基波相角寄存器54HYIBR3--采样通道IB基波相角寄存器55HYICR3--采样通道IC基波相角寄存器56HYINR3--采样通道IN基波相角寄存器57HUFreqR3--电压线频率58HFUAR4--A相基波电压有效值59HFUBR4--B相基波电压有效值5AHFUCR4--C相基波电压有效值5BHFIAR4--A相基波电流有效值5CHFIBR4--B相基波电流有效值5DHFICR4--C相基波电流有效值5EHFPAR4--A相基波有功功率5FHFPBR4--B相基波有功功率60HFPCR4--C相基波有功功率61HFPTR4--合相基波有功功率62HFQAR4--A相基波无功功率63HFQBR4--B相基波无功功率64HFQCR4--C相基波无功功率65HFQTR4--合相基波无功功率66HFSAR4--A相基波视在功率67HFSBR4--B相基波视在功率68HFSCR4--C相基波视在功率69HFSTAR4--RMS合相基波视在功率6AHFPfAR3--A相基波功率因数6BHFPfBR3--B相基波功率因数6CHFPfCR3--C相基波功率因数6DHFPfTAR3--RMS合相基波功率因数6EHFPAFCntR/W3--A相基波有功快速脉冲计数6FHFPBFCntR/W3--B相基波有功快速脉冲计数70HFPCFCntR/W3--C相基波有功快速脉冲计数三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第27页版本3.
371HFPTFCntR/W3--合相基波有功快速脉冲计数72HFQAFCntR/W3--A相基波无功快速脉冲计数73HFQBFCntR/W3--B相基波无功快速脉冲计数74HFQCFCntR/W3--C相基波无功快速脉冲计数75HFQTFCntR/W3--合相基波无功快速脉冲计数76HFSAFCntR/W3--A相基波视在快速脉冲计数77HFSBFCntR/W3--B相基波视在快速脉冲计数78HFSCFCntR/W3--C相基波视在快速脉冲计数79HFSTAFCntR/W3--RMS合相基波视在快速脉冲计数7AHFEPAR3--A相基波有功电能7BHFEPBR3--B相基波有功电能7CHFEPCR3--C相基波有功电能7DHFEPTR3--合相基波有功电能7EHPosFEPAR3--A相基波正向有功能量寄存器7FHPosFEPBR3--B相基波正向有功能量寄存器80HPosFEPCR3--C相基波正向有功能量寄存器81HPosFEPTR3--合相基波正向有功能量寄存器82HNegFEPAR3--A相基波反向有功能量寄存器83HNegFEPBR3--B相基波反向有功能量寄存器84HNegFEPCR3--C相基波反向有功能量寄存器85HNegFEPTR3--合相基波反向有功能量寄存器86HFEQAR3--A相基波无功电能87HFEQBR3--B相基波无功电能88HFEQCR3--C相基波无功电能89HFEQTR3--合相基波无功电能8AHPosFEQAR3--A相正向基波无功能量寄存器8BHPosFEQBR3--B相正向基波无功能量寄存器8CHPosFEQCR3--C相正向基波无功能量寄存器8DHPosFEQTR3--合相正向基波无功能量寄存器8EHNegFEQAR3--A相反向基波无功能量寄存器8FHNegFEQBR3--B相反向基波无功能量寄存器90HNegFEQCR3--C相反向基波无功能量寄存器91HNegFEQTR3--合相反向基波无功能量寄存器92HFESAR3--A相基波视在能量寄存器93HFESBR3--B相基波视在能量寄存器94HFESCR3--C相基波视在能量寄存器95HFESTAR3--RMS合相基波视在能量寄存器96HHUAR4--A相谐波电压有效值97HHUBR4--B相谐波电压有效值98HHUCR4--C相谐波电压有效值99HHIAR4--A相谐波电流有效值三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第28页版本3.
39AHHIBR4--B相谐波电流有效值9BHHICR4--C相谐波电流有效值9CHFSTVR4--PQS合相基波视在功率9DHFPfTVR3--PQS合相基波功率因数9EHFSTVFCntR/W3--PQS合相基波视在快速脉冲计数9FHFESTVR3--PQS合相基波视在能量寄存器3.
2参数寄存器说明3.
2.
1波形采样寄存器ADDR00H01H02H03H04H05H06HREGUAWAVUBWAVUCWAVIAWAVIBWAVICWAVINWAV高通滤波环节后,RN8302B的七路ADC采样数据输出到波形采样寄存器中.
波形采样寄存器为24位有符号数,采用补码格式,最高位为符号位.
数据刷新速率为8KHZ.
当使用通道增益进行了校正之后,波形采样寄存器的峰值的归一化值=对应全波有效值寄存器的归一化值*sqrt(2)*0.
5.
U通道和I通道增益校正过程详见第4章校表方法.
波形采样寄存器更新时同时会置位标志寄存器WAVUPIF标志位(EMMIF.
0),该位写1清零.
若使能波形寄存器更新中断WAVUPIE(EMMIE.
0),则每次更新发生,会产生中断,INTN引脚输出低电平.
3.
2.
2有效值寄存器ADDR07H08H09H0AH0BH0CH0DHREGUAUBUCUSUMIAIBICADDR0EH10H11H12H13HREGINISUMIA_NVM1IB_NVM1IC_NVM1ADDR58H59H5AH5BH5CH5DHREGFUAFUBFUCFIAFIBFICADDR96H97H98H99H9AH9BHREGHUAHUBHUCHIAHIBHIC有效值寄存器分五类:1全波电压电流有效值(UA/UB/UC/IA/IB/IC/IN)2基波电压电流有效值(FUA/FUB/FUC/FIA/FIB/FIC)3谐波电压电流有效值(HUA/HUB/HUC/HIA/HIB/HIC)4全波电压电流矢量和有效值(USUM/ISUM)5NVM1电流有效值(IA_NVM1/IB_NVM1/IC_NVM1)三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第29页版本3.
31-4类有效值是四字节寄存器,为28位(bit0-bit27)有符号数,采用补码格式,bit27为符号位,bit28-bit31和bit27相同总为零.
这四类有效值参数更新的周期为250ms.
NVM1电流有效值是三字节有符号数,采用补码形式,bit23为符号位,bit23总为零.
参数更新的周期为150ms.
在通道增益寄存器GSIx=0的情况下,NVM1下电流有效值Ix_NVM1和EMM下对应相的电流有效值Ix有如下关系:Ix_NVM1=Ix*0.
87909/16电流通道增益寄存器GSIx只对EMM下电流有效值Ix有效,对NVM1下电流有效值Ix_NVM1无效.
1-4类有效值仅在EMM下有效,在NVM1下无效;NVM1电流有效值仅在NVM1下有效,在EMM下读为0.
在SLM和NVM2下,上述寄存器均无效.
对有效值参数均有,实际电压电流有效值=Krmsx*RMSReg'其中Krmsx表示转换系数,RMSReg'表示上述有效值寄存器RMSReg的补码.
该运算由MCU完成.
3.
2.
3功率寄存器ADDR14H15H16H17H18H19H1AH1BHREGPAPBPCPTQAQBQCQTADDR1CH1DH1EH1FH4CHREGSASBSCSTASTVADDR5EH5FH60H61H62H63H64H65HREGFPAFPBFPCFPTFQAFQBFQCFQTADDR66H67H68H69H9CHREGFSAFSBFSCFSTAFSTV功率寄存器包括全波分相、合相有功功率PA/PB/PC/PT、无功功率QA/QB/QC/QT、分相视在功率SA/SB/SC、RMS合相视在功率STA、PQS合相视在功率STV;基波分相、合相有功功率FPA/FPB/FPC/FPT、无功功率FQA/FQB/FQC/FQT、分相视在功率FSA/FSB/FSC、RMS合相视在功率FSTA、PQS合相视在功率FSTV.
功率寄存器采用二进制补码格式,32位有符号数,其中最高位是符号位.
对于视在功率,最高位始终为0.
功率参数更新的周期为250ms.
对功率参数均有,实际功率=Kpx*PReg'其中Kpx表示转换系数,PReg'表示相应功率寄存器PReg的补码.
该运算由MCU完成.
3.
2.
4功率因数寄存器ADDR20H21H22H23H4DH6AH6BH6CHREGPfAPfBPfCPfTAPfTVFPfAFPfBFPfCADDR6DH9DHREGFPfTAFPfTV功率因数寄存器包括全波分相功率因数PfA/PfB/PfC、RMS合相功率因数PfTA、PQS合相功率因数PfTV;基波分相功率因数FPfA/FPfB/FPfC、RMS合相功率因数FPfTA、PQS合三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第30页版本3.
3相功率因数FPfTV.
功率因数寄存器采用二进制补码格式,24位有符号数,其中最高位是符号位,由有功功率符号位决定.
功率因数参数更新的周期为250ms.
功率因数参数计算公式:实际功率因数=PfReg'/223其中PfReg'表示相应功率因数寄存器PfReg的补码.
3.
2.
5快速脉冲计数寄存器ADDR24H25H26H27H28H29H2AHREGPAFCntPBFCntPCFCntPTFCntQAFCntQBFCntQCFCntADDR2BH2CH2DH2EH2FH4EHREGQTFCntSAFCntSBFCntSCFCntSTFACntSTFVCntADDR6EH6FH70H71H72H73H74HREGFPAFCntFPBFCntFPCFCntFPTFCntFQAFCntFQBFCntFQCFCntADDR75H76H77H78H79H9EHREGFQTFCntFSAFCntFSBFCntFSCFCntFSTFACntFSTVFCnt快速脉冲计数寄存器包括全波/基波、有功/无功/视在、分相/合相快速脉冲计数寄存器.
快速脉冲计数寄存器为18位(bit0-bit17)有符号数,其中bit17是符号位,由功率符号位决定,bit18-bit23为无效位,固定为0.
当输入正向,Fcnt正向增加,HFCONST1和Fcnt/2进行比较,相等,Fcnt清零,相应能量寄存器增1.
当输入反向,Fcnt负向增加,HFCONST1和Fcnt/2的补码进行比较,相等,Fcnt清零,相应能量寄存器增1.
3.
2.
6电能寄存器ADDR30H31H32H33H34H35H36HREGEPAEPBEPCEPTPosEPAPosEPBPosEPCADDR37H38H39H3AH3BH3CH3DHREGPosEPTNegEPANegEPBNegEPCNegEPTEQAEQBADDR3EH3FH40H41H42H43H44HREGEQCEQTPosEQAPosEQBPosEQCPosEQTNegEQAADDR45H46H47H48H49H4AH4BHREGNegEQBNegEQCNegEQTESAESBESCESTAADDR4FH7AH7BH7CH7DH7EH7FHREGESTVFEPAFEPBFEPCFEPTPosFEPAPosFEPBADDR80H81H82H83H84H85H86HREGPosFEPCPosFEPTNegFEPANegFEPBNegFEPCNegFEPTFEQAADDR87H88H89H8AH8BH8CH8DHREGFEQBFEQCFEQTPosFEQAPosFEQBPosFEQCPosFEQTADDR8EH8FH90H91H92H93H94HREGNegFEQANegFEQBNegFEQCNegFEQTFESAFESBFESC三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第31页版本3.
3ADDR95H9FHREGFESTAFESTV电能寄存器是24位无符号数.
寄存器最小单位代表的能量为1/ECKWh,其中EC为电表常数.
RN8302B具有多种类型的能量寄存器,包括基波/全波、有功/无功/视在、分相/合相、有功和无功正向/反向电能寄存器.
能量寄存器既可配置为清零型也可配置为累加型.
寄存器位ERegCAR(EMUCFG.
19)=0,所有能量寄存器为清零型;=1,为累加型.
缺省为清零型.
正向有功和无功电能寄存器仅计量功率大于0的电能;反向有功和无功电能寄存器仅计量功率小于0的电能.
在三相四线模式下,合相有功能量寄存器的累加模式既可配置为代数和型也可配置为绝对值和型的.
寄存器位EPADDMODE(EMUCFG.
20)=0,累加模式为代数和型,合相有功能量以分相功率的代数和PA+PB+PC积分;=1,为绝对值和型,合相有功能量以分相功率的绝对值和|PA|+|PB|+|PC|积分.
缺省为代数和型.
在三相四线模式下,合相无功能量寄存器的累加模式既可配置为代数和型也可配置为绝对值和型的.
寄存器位EQADDMODE(EMUCFG.
21)=0,累加模式为代数和型,合相无功能量以分相功率的代数和QA+QB+QC积分;=1,为绝对值和型,合相有功能量以分相功率的绝对值和|QA|+|QB|+|QC|积分.
缺省为代数和型.
注意有功和无功合相能量寄存器的累加模式仅对合相能量寄存器起作用,对合相功率寄存器不起作用.
在三相三线模式下,合相有功和无功能量寄存器仅有代数和型.
寄存器位EPADDMODE、EQADDMODE不可配置.
3.
2.
7相角寄存器ADDR50H51H52H53H54H55H56HREGYUAYUBYUCYIAYIBYICYIN相角寄存器是24位无符号数,表示各采样通道基波和基准基波电压通道的相角,如若以UA通道为相角基准,则YIB表示IB基波和UA基波间的相角.
用户可通过简单运算得知任意两个向量的相角,如IA和IB的相角YIAIB=YIA-YIB.
相角寄存器的更新周期为32个周波.
三相四线:若FUA>ZXOT(归一化值,下同),则以UA通道为相角测试基准;若FUAZXOT,则以UB通道为相角测试基准;若FUAZXOT,则以UC通道为相角测试基准;若三相基波电压均ZXOT,则以UA通道为相角测试基准;若FUAZXOT,则以UC通道为相角测试基准;若FUA,FUC均小于ZXOT,则各路相角为0.
以UA通道为基准时,若FUB、FUC、FIA、FIB、FIC、FIN任一路ZXOT(归一化值,也可选择使用ZXOTU寄存器作为阈值,下同),则以UA通道为测频基准;若FUAZXOT,则以UB通道为测频基准;若FUAZXOT,则以UC通道为测频基准.
三相三线:若FUA>ZXOT,则以UA通道为测频基准;若FUAZXOT,则以UC通道为测频基准.
电压线频率计算公式:实际频率=fosc*8/REGF,其中REGF表示频率寄存器的值.
3.
3配置和状态寄存器列表表3-2配置和状态寄存器(Bank1,地址映射参见5.
1章SPI地址空间描述)列表地址名称R/W字长EMM上电复位值功能描述EMM校表寄存器I00HHFConst1R/W20x1000高频脉冲计数寄存器101HHFConst2R/W20x1000高频脉冲计数寄存器202HIStart_PSR/W20x0250有功视在启动电流阈值寄存器03HIStart_QR/W20x0250无功启动电流阈值寄存器04HLostVoltTR/W20x0400失压阈值寄存器05HZXOTR/W20x0073过零阈值寄存器06HPRTH1LR/W20x0000相位分段校正电流阈值1下限07HPRTH1HR/W20x0000相位分段校正电流阈值1上限08HPRTH2LR/W20x0000相位分段校正电流阈值2下限09HPRTH2HR/W20x0000相位分段校正电流阈值2上限0AHIRegion3LR/W20x0000电流阈值3下限0BHIRegion3HR/W20x0000电流阈值3上限0CHPHSUAR/W10x80采样通道UA相位校正寄存器0DHPHSUBR/W10x80采样通道UB相位校正寄存器0EHPHSUCR/W10x80采样通道UC相位校正寄存器0FHPHSIAR/W30x808080采样通道IA分段相位校正寄存器10HPHSIBR/W30x808080采样通道IB分段相位校正寄存器11HPHSICR/W30x808080采样通道IC分段相位校正寄存器12HPHSINR/W10x80采样通道IN相位校正13HGSUAR/W20x0000采样通道UA通道增益14HGSUBR/W20x0000采样通道UB通道增益15HGSUCR/W20x0000采样通道UC通道增益三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第33页版本3.
316HGSIAR/W20x0000采样通道IA通道增益17HGSIBR/W20x0000采样通道IB通道增益18HGSICR/W20x0000采样通道IC通道增益19HGSINR/W20x0000采样通道IN通道增益1AHDCOS_UAR/W20x0000采样通道UA直流Offset校正1BHDCOS_UBR/W20x0000采样通道UB直流Offset校正1CHDCOS_UCR/W20x0000采样通道UC直流Offset校正1DHDCOS_IAR/W20x0000采样通道IA直流Offset校正1EHDCOS_IBR/W20x0000采样通道IB直流Offset校正1FHDCOS_ICR/W20x0000采样通道IC直流Offset校正20HDCOS_INR/W20x0000采样通道IN直流Offset校正21HUA_OSR/W20x0000A相电压有效值Offset22HUB_OSR/W20x0000B相电压有效值Offset23HUC_OSR/W20x0000C相电压有效值Offset24HIA_OSR/W20x0000A相电流有效值Offset25HIB_OSR/W20x0000B相电流有效值Offset26HIC_OSR/W20x0000C相电流有效值Offset27HIN_OSR/W20x0000零线电流1有效值Offset28HGPAR/W20x0000A相有功功率增益29HGPBR/W20x0000B相有功功率增益2AHGPCR/W20x0000C相有功功率增益2BHGQAR/W20x0000A相无功功率增益2CHGQBR/W20x0000B相无功功率增益2DHGQCR/W20x0000C相无功功率增益2EHGSAR/W20x0000A相视在功率增益2FHGSBR/W20x0000B相视在功率增益30HGSCR/W20x0000C相视在功率增益31HPA_PHSLR/W20x0000A相有功分段相位校正寄存器-低段32HPB_PHSLR/W20x0000B相有功分段相位校正寄存器-低段33HPC_PHSLR/W20x0000C相有功分段相位校正寄存器-低段34HQA_PHSLR/W20x0000A相无功分段相位校正寄存器-低段35HQB_PHSLR/W20x0000B相无功分段相位校正寄存器-低段36HQC_PHSLR/W20x0000C相无功分段相位校正寄存器-低段37HPA_OSR/W20x0000A相有功功率Offset38HPB_OSR/W20x0000B相有功功率Offset39HPC_OSR/W20x0000C相有功功率Offset3AHQA_OSR/W20x0000A相无功功率Offset3BHQB_OSR/W20x0000B相无功功率Offset3CHQC_OSR/W20x0000C相无功功率Offset3DHFUA_OSR/W20x0000A相基波电压有效值Offset3EHFUB_OSR/W20x0000B相基波电压有效值Offset三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第34页版本3.
33FHFUC_OSR/W20x0000C相基波电压有效值Offse40HFIA_OSR/W20x0000A相基波电流有效值Offset41HFIB_OSR/W20x0000B相基波电流有效值Offset42HFIC_OSR/W20x0000C相基波电流有效值Offse43HGFPAR/W20x0000A相基波有功功率增益44HGFPBR/W20x0000B相基波有功功率增益45HGFPCR/W20x0000C相基波有功功率增益46HGFQAR/W20x0000A相基波无功功率增益47HGFQBR/W20x0000B相基波无功功率增益48HGFQCR/W20x0000C相基波无功功率增益49HGFSAR/W20x0000A相基波视在功率增益4AHGFSBR/W20x0000B相基波视在功率增益4BHGFSCR/W20x0000C相基波视在功率增益4CHFPA_PHSR/W20x0000A相基波有功相位校正寄存器4DHFPB_PHSR/W20x0000B相基波有功相位校正寄存器4EHFPC_PHSR/W20x0000C相基波有功相位校正寄存器4FHFQA_PHSR/W20x0000A相基波无功相位校正寄存器50HFQB_PHSR/W20x0000B相基波无功相位校正寄存器51HFQC_PHSR/W20x0000C相基波无功相位校正寄存器52HFPA_OSR/W20x0000A相基波有功功率Offset53HFPB_OSR/W20x0000B相基波有功功率Offset54HFPC_OSR/W20x0000C相基波有功功率Offset55HFQA_OSR/W20x0000A相基波无功功率Offset56HFQB_OSR/W20x0000B相基波无功功率Offset57HFQC_OSR/W20x0000C相基波无功功率Offset58HSAGCFGR/W30x000000电压暂降阈值配置59HOVLVLR/W20x0000过压阈值配置5AHOILVLR/W20x0000过流阈值配置EMM配置和状态寄存器60HCFCFGR/W30x043210CF引脚配置寄存器61HEMUCFGR/W30x400000EMU配置寄存器62HEMUCONR/W30x000000EMU控制寄存器63HWSAVECONR/W10x00采样数据写缓存控制寄存器64HEMMIER/W20x0000EMM中断允许寄存器,写保护65HEMMIFR2--EMM中断标志和状态寄存器66HPQSignR2--有功无功功率方向寄存器67HNoloadR2--潜动启动状态寄存器68HIRegionSR1--电流分区状态寄存器69HPHASESR2--相电压电流状态寄存器6AHCheckSum1R3--EMM校表和配置寄存器校验和NVM1配置和状态寄存器三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第35页版本3.
370HNVM1CFGR/W10x01NVM1配置寄存器71HNVM1IFR1--NVM1状态寄存器NVM2配置和状态寄存器72HNVM2CFGR/W20x0F21NVM2配置寄存器73HNVM2CMPAR/W20x0256NVM2IA比较器控制寄存器74HNVM2CMPBR/W20x0256NVM2IB比较器控制寄存器75HNVM2CMPCR/W20x0256NVM2IC比较器控制寄存器76HNVM2IFR10x00全失压状态寄存器系统配置寄存器80HWRENR/W10x00写使能寄存器81HWMSWR/W1和引脚PM配置相同工作模式切换寄存器82HSOFTRSTR/W10x00软件复位寄存器83HADCCFGR/W20x0000ADC配置寄存器86HMODSELR/W10x00三相四线/三相三线模式选择寄存器系统状态寄存器8AHSYSSRR2--系统状态寄存器8BHCheckSum2R2--NVM1、NVM2、系统配置寄存器校验和8CHRDataR4--上一次SPI读出的数据8DHWDataR3--上一次SPI写入的数据8EHLRBufAddrR20x0000最后一次读波形缓存的地址8FHDeviceIDR30x830200RN8302BDeviceIDEMM校表寄存器II90HZXOTUR/W20x0000电压夹角及测频阈值寄存器91HAUOTDC_ENR/W20x0000直流OFFSET自动校正使能寄存器92HZXOTCFGR/W20x0000过零计算配置及标志寄存器,双字节,实际有效为12位.
Zxotcfg[11:5]只读位,存放每个通道的夹角计算标志位,为1表示该通道参与夹角计算;为0表示未参与,夹角寄存器读出为0,顺序为{IN/IC/IB/IA/UC/UB/UA}Zxotcfg[4:0]可读可写;Zxotcfg[4]:=1时,电压夹角及测频计算阈值选择为ZXOTU,=0时,电压夹角及测频计算阈值选择为ZXOT;Zxotcfg[3]:=1时,三相三线时B路电压参与夹角计算,=0时,三相三线时B路电压不参与夹角计算;Zxotcfg[2]:=1时,UC通道参与夹角计算;=0时,以阈值比较结果为准选择三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第36页版本3.
3UC是否参与夹角计算;Zxotcfg[1]:=1时,UB通道参与夹角计算;=0时,以阈值比较结果为准选择UB是否参与夹角计算;;Zxotcfg[0]:=1时,UA通道参与夹角计算;=0时,以阈值比较结果为准选择UA是否参与夹角计算;;当[2:0]同时或者有两个一起有效时,夹角计算起点的优先级为UA>UB>UC.
如果需要完全由软件指定电压通道是否参与夹角计算,不由硬件做比较,可做如下设置:1.
Zxotcfg[4]=1,选择为ZXOTU;2.
将ZXOTU设置为最大值;3.
软件根据需要设置bit2~bit0,自由选择电压通道是否参与夹角计算以及选择哪个座位夹角计算起点.
94HIN_WaveENR/W20x0000IN波形缓存使能寄存器B0HPA_PHSMR/W30x000000A相有功分段相位校正寄存器-中段备注:高字节无效,读写按3字节操作.
B1H~BBH地址寄存器同B0H地址B1HPA_PHSHR/W30x000000A相有功分段相位校正寄存器-高段B2HPB_PHSMR/W30x000000B相有功分段相位校正寄存器-中段B3HPB_PHSHR/W30x000000B相有功分段相位校正寄存器-高段B4HPC_PHSMR/W30x000000C相有功分段相位校正寄存器-中段B5HPC_PHSHR/W30x000000C相有功分段相位校正寄存器-高段B6HQA_PHSMR/W30x000000A相无功分段相位校正寄存器-中段B7HQA_PHSHR/W30x000000A相无功分段相位校正寄存器-高段B8HQB_PHSMR/W30x000000B相无功分段相位校正寄存器-中段B9HQB_PHSHR/W30x000000B相无功分段相位校正寄存器-高段BAHQC_PHSMR/W30x000000C相无功分段相位校正寄存器-中段BBHQC_PHSHR/W30x000000C相无功分段相位校正寄存器-高段3.
4配置和状态寄存器说明3.
4.
1高频脉冲常数寄存器高频脉冲常数寄存器是16位无符号数,包括两个HFCONST寄存器,HFCONST1(0x00)和HFCONST2(0x01),HFCONST1可用于配置电表常数,HFCONST2可用于最大需量计算时CF高频脉冲输出,或校表时小信号CF加速功能.
每个CF引脚都可通过CFCFG(0x60)寄存器选择使用HFCONST1还是HFCONST2输三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第37页版本3.
3出脉冲.
做比较时,将其与合相快速脉冲计数寄存器PTFCNT、QTFCNT、STFCNT、FPTFCNT、FQTFCNT、FSTFCNT寄存器值的绝对值的高16位做比较,如果大于等于CFCFG选择的HFConst的值,那么就会有对应的CF脉冲输出.
电能寄存器的增加仅和HFCONST1相关,和HFCONST2无关.
做比较时,将HFCONST1与合相快速脉冲计数寄存器以及各分相快速脉冲计数寄存器的绝对值的高16位做比较,如果大于等于HFConst1的值,那么对应的能量寄存器增1.
HFConst1和HFConst2默认值为1000H.
HFConst计算详见第4章校表方法.
3.
4.
2启动电流阈值寄存器RN8302B提供两个启动电流阈值寄存器,全波、基波有功以及视在共用一个启动电流阈值寄存器IStart_PS(0x02),全波、基波无功共用一个启动电流阈值寄存器IStart_Q(0x03).
IStart_PS和IStart_Q均为16位无符号数,做比较时,将其扩展为32位0x000X_XXX0,与各相全波电流有效值IxRMS或基波电流有效值FIxRMS进行比较,以作潜动启动判断.
IStart_PS和IStart_Q计算公式:其中IStart为待设置的启动电流阈值寄存器值,REGIb为经校正后的Ib点的全波或基波电流有效值寄存器值,K=某相启动电流和标称电流值的比值,如启动电流为0.
001Ib,则K=0.
001.
IStart_Q复位初值和IStart_PS相同,均为0x250,用户可根据需要重新设定.
3.
4.
3失压阈值寄存器失压阈值寄存器LostVoltage(0x04)用于设置RN8302B的失压阈值.
为16位无符号数,做比较时,将其与各相全波电压有效值高16位即bit27-bit12进行比较,以作失压判断.
LostVoltage的默认值为0x0400.
用户可根据需要重新设定.
LostVoltage计算公式:其中REGVn为经校正后的额定电压输入的全波电压有效值寄存器值,K=某相失压电压和额定电压的比值,如失压电压为50%额定电压,则K=0.
5.
3.
4.
4过零阈值寄存器当某通道的有效值小于过零阈值寄存器值时,该通道不输出过零,同时不计算该通道的相角,该通道相角输出0x000000.
过零阈值寄存器ZXOT(0x05)为16位无符号数,做比较时,将其与各相电压电流有效值Ux、Ix(x=A,B,C下同)bit27-bit12位进行比较,以作判断.
ZXOT的复位初值为0x0073,用户可根据需要重新设定.
电流夹角计算阈值只会使用ZXOT(0x05).
电压夹角计算及测频阈值默认使用ZXOT三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第38页版本3.
3(0x05),当ZXOTCFG[4]=1(0x92H)时可选择ZXOTU(0x90H)作为电压过零及测频阈值,当ZXOTCFG[4]=0时选择ZXOT作为电压过零及测频阈值.
ZXOT计算公式:其中REGIb为经校正后的Ib点的电流有效值寄存器值,K=某相过零阈值和Ib点电流的比值,如过零阈值为5%额定电流,则K=0.
05.
3.
4.
5相位补偿区域设置寄存器相位补偿区域设置寄存器PRTHx用于分段角差校正区域设置,共有两对相位分段校正电流阈值PRTH寄存器,地址0x06-0x09.
如图所示:PRTH1L(0x06)/PRTH1H(0x07)和PRTH2L(0x08)/PRTH2H(0x09)可配置3个相位校正区域的分段点,其中Region1以PHSx_R1为通道相位校正参数,以Px_PHSL为有功功率相位校正参数,以Qx_PHSL为无功功率相位校正参数;Region2以PHSx_R2为通道相位校正参数,以Px_PHSM为有功功率相位校正参数,以Qx_PHSM为无功功率相位校正参数;Region3以PHSx_R3为通道相位校正参数,以Px_PHSH为有功功率相位校正参数,以Qx_PHSH为无功功率相位校正参数.
在某相电流Ix增加方向,以PRTH1H为Region1和Region2的分段点,以PRTH2H为Region2和Region3的分段点;在某相电流Ix减小方向,以PRTH1L为Region1和Region2的分段点,以PRTH2L为Region2和Region3的分段点.
PRTHx为16位无符号数,做比较时,将其与各相全波电流有效值Ix(x=A,B,C下同)bit27-bit12进行比较,以作判断.
容错处理:对于①当写入PRTH2xPRTH1H,写入失败;③当写入PRTH2HPRTH2H,写入失败.
当PRTH1L寄存器为0时,不启动分段相位校正.
芯片电流通道以PHSIx寄存器的低8位做为各通道相位校正值,功率相位以Px_PHSL、Qx_PHSL作为各功率的相位校正值.
3.
4.
6电流分段区域设置寄存器Iregion3L(0x0A)和Iregion3H(0x0B)未和相位校正寄存器关联,仅用来产生电流分段三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第39页版本3.
3标志和中断.
这两个寄存器均为16位无符号数,做比较时,将其与各相全波电流有效值Ix(x=A,B,C)bit27-bit12进行比较,以作判断.
根据相电流和Iregion3阈值比较的结果,IregionS状态寄存器的相应标志位置位或清零.
若Iregion3x中断使能,会产生中断.
容错处理:当写入Iregion3HIregion3H,写入失败.
当Iregion3L寄存器为0时,不启动该功能.
3.
4.
7通道相位校正寄存器ADDR0CH0DH0EH0FH10H11H12HREGPHSUAPHSUBPHSUCPHSIAPHSIBPHSICPHSINPHSUA、PHSUB、PHSUC、PHSIN用于UA、UB、UC、IN的相位校正.
该寄存器均为8位无符号数,默认值为0x80.
在50HZ,fosc=8.
192Mhz下,1LSB代表0.
017578°/LSB相位校正.
PHSIA-PHSIC用于三个电流通道3个相位校正区域的分段校正,和相位补偿区域设置寄存器PRTHx结合使用.
这三个寄存器均为24位无符号数.
以PHSIA为例,该寄存器3个字节如下:{PHSIA_R3[23:16],PHSIA_R2[15:8],PHSIA_R1[7:0]}其中低8位PHSIA_R1[7:0]代表区域1的相位校正值,中间8位PHSIA_R2[15:8]代表区域2的相位校正值,高8位PHSIA_R3[23:16]代表区域3的相位校正值.
默认值为0x808080.
相位校正范围:50HZ下,±2.
259o或4.
518o相位补偿公式:①通过0.
5L时有功误差校正,若某相0.
5L功率因数角为60°时,Ib点有功误差为err,通道角差为,则若功率因数角为30°时,Ib点有功误差为err,通道角差为,则对50HZ,PHSUA和PHSIA寄存器均有0.
017578°/LSB的关系.
若调整PHSUA寄存器,则有:PHSUA=0x80+INT(/0.
017578°)若调整PHSIA寄存器且不考虑分段校正,则有:PHSIA_R1[7:0]=0x80-INT(/0.
017578°)②以一个通道的输入为基准,从相角寄存器得知被校通道1和基准通道2的实际角差与标准源或标准表的角差的差值为,若被校前该通道的相位寄存器是PHS1,则对50HZ,则有校正通道的相位PHS=PHS1+INT(/0.
017578°)三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第40页版本3.
33.
4.
8通道增益寄存器ADDR13H14H15H16H17H18H19HREGGSUAGSUBGSUCGSIAGSIBGSICGSIN通道增益寄存器可用于有效值、功率的增益校正.
通道增益寄存器为2字节有符号数,采用二进制补码形式,最高位为符号位,表示范围(-1,+1).
校正公式:如果RegGain>=215,则Gain=(RegGain-216)/215;否则Gain=RegGain/215;其中RegGain为通道增益寄存器值.
以IB通道为例,假设校正之前B路电流有效值IB,校正之后IB',两者关系为:IB'=IB+IB*Gain通道增益寄存器适用于功率法校表中的增益校正,功率法校表说明详见第4章校表方法章节.
3.
4.
9通道直流OFFSET校正寄存器ADDR1AH1BH1CH1DH1EH1FH20HREGDCOS_UADCOS_UBDCOS_UCDCOS_IADCOS_IBDCOS_ICDCOS_IN通道直流OFFSET校正寄存器用于在测试直流量时替代高通滤波消除失调误差.
直流OFFSET寄存器所表示的直流分量等效于直接在采样波形上叠加直流分量,所以在采样通路高通关闭时,该寄存器起作用.
直流OFFSET校正寄存器均为两字节有符号数,采用二进制补码形式,最高位为符号位.
在采样通路高通关闭时,该寄存器会影响有效值、功率、能量等参数.
其中DCOS_IA、DCOS_IB、DCOS_IC不仅对IA、IB、IC有效值计算起作用,还对IA_NVM1、IB_NVM1、IC_NVM1起作用.
DCOS寄存器对有效值的影响:以IA通道为例,假设DCOS_IA寄存器等于0时,IA通道有效值为IA,NVM1下有效值为IA_NVM1;DCOS_IA不等于0时,IA通道有效值寄存器为IA',NVM1下有效值为IA_NVM1'则IA'=Abs(IA±DCOS_IA*212)IA_NVM1'=Abs(IA_NVM1±DCOS_IA*28*0.
512)其中±取决于DCOS符号和失调电压方向的一致性,当方向一致时为+,方向不一致时为-.
替代高通滤波消除失调误差时,用户可利用直流OFFSET自动校正功能得到DCOS寄存器值,说明详见3.
4.
42直流OFFSET自动校正使能寄存器章节.
3.
4.
10有效值OFFSET校正寄存器ADDR21H22H23H24H25H26H27HREGUA_OSUB_OSUC_OSIA_OSIB_OSIC_OSIN_OSADDR3DH3EH3FH40H41H42HREGFUA_OSFUB_OSFUC_OSFIA_OSFIB_OSFIC_OS有效值Offset校正寄存器用于电压/电流/基波电压/基波电流有效值小信号精度的校正.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第41页版本3.
3有效值Offset校正寄存器均为两字节有符号数,采用二进制补码形式,最高位为符号位.
校正公式:以IA通道为例,假设校正之前A相电流有效值寄存器IA,校正之后为IA',则有:IA'=Sqrt(Abs(IA2+IA_OS*214))3.
4.
11功率增益寄存器ADDR28H29H2AH2BH2CH2DH2EHREGGPAGPBGPCGQAGQBGQCGSAADDR2FH30H43H44H45H46H47HREGGSBGSCGFPAGFPBGFPCGFQAGFQBADDR48H49H4AH4BHREGGFQCGFSAGFSBGFSC功率增益寄存器用于有功/无功/视在/基波有功/基波无功/基波视在功率的增益校正.
功率增益寄存器均为两字节有符号数,采用二进制补码形式,最高位为符号位.
校正公式为:P1=P0(1+GP)Q1=Q0(1+GQ)S1=S0(1+GS)其中P1、Q1、S1为校正后的有功、无功、视在功率;P0、Q0、S0为校正前的功率;GP、GQ、GS分别为有功、无功、视在功率增益校正寄存器的归一化值.
功率增益寄存器适用于传统的脉冲校表法功率增益校正,校正误差范围为-∞~50%,校正方法以A相PF=1.
0误差校正为例:假设A相Ib点输入时,标准表的有功误差读数为err,则A相有功功率增益校正寄存器GPA的计算方法如下:如果Gain>=0,则GPA=INT[Gain*215];如果Gain=LostVoltage(0x04)阈值,未失压;=1,表示C相电压全波有效值UC高16位=LostVoltage(0x04)阈值,未失压;=1,表示B相电压全波有效值UC高16位=LostVoltage(0x04)阈值,未失压;=1,表示A相电压全波有效值UA高16位4FFH时,LRBufAddr寄存器不做特殊处理,仍保存越界地址.
3.
4.
41DeviceID寄存器地址:8FH;字长:3字节.
DeviceID寄存器表示芯片的DeviceID号,上电后始终为830200H.
3.
4.
42电压夹角及测频阈值寄存器地址:90H;字长:2字节.
电流夹角计算阈值只会使用ZXOT(0x05).
电压夹角计算及测频阈值默认使用ZXOT(0x05),当ZXOTCFG[4]=1(0x92H)时可选择ZXOTU(0x90H)作为电压过零及测频阈值,当ZXOTCFG[4]=0时选择ZXOT作为电压过零及测频阈值.
当某通道的有效值小于过零阈值寄存器值时,该通道不输出过零,同时不计算该通道的相角,该通道相角输出0x000000.
测频阈值说明详见3.
2.
8电压线频率寄存器章节.
过零阈值寄存器ZXOTU(0x90)为16位无符号数,做比较时,将其与各相电压有效值Ux(x=A,B,C下同)bit27-bit12位进行比较,以作判断.
ZXOTU的复位初值为0x0000,用户可根据需要重新设定.
该寄存器参与校验和寄存器1(0x6AH)的计算.
ZXOTU计算公式同3.
4.
4章节过零阈值寄存器.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第60页版本3.
33.
4.
43过零计算配置及标志寄存器地址:92H;字长:2字节.
该寄存器不参与校验和计算.
位位名称功能描述16:12Reserved保留.
11:5ZXFLAG只读位,存放每个通道的夹角计算标志位,为1表示该通道参与夹角计算;为0表示未参与,夹角寄存器读出为0,顺序为{IN/IC/IB/IA/UC/UB/UA}4ZXOTUS=1时,电压夹角及测频计算阈值选择为ZXOTU,=0时,电压夹角及测频计算阈值选择为ZXOT;3ZXOTUBS=1时,三相三线时B路电压参与夹角计算,=0时,三相三线时B路电压不参与夹角计算;2ZXOTUC=1时,UC通道参与夹角计算;=0时,以阈值比较结果为准选择UC是否参与夹角计算;1ZXOTUB=1时,UB通道参与夹角计算;=0时,以阈值比较结果为准选择UB是否参与夹角计算;;0ZXOTUA=1时,UA通道参与夹角计算;=0时,以阈值比较结果为准选择UA是否参与夹角计算;3.
4.
44直流OFFSET自动校正使能寄存器地址:91H;字长:2字节.
默认值:0x0000.
该寄存器不参与校验和计算.
AUTODC_EN寄存器用于启动7路ADC直流OFFSET自动计算并反映完成状态.
位位名称功能描述8-15Reserved保留.
7NVM1_DC_DIS=0,DCoffset自动校正结果即DCOS寄存器影响计量通道参数和NVM1电流有效值计算.
=1,DCoffset自动校正结果即DCOS寄存器仅影响NVM1电流有效值计算,不影响计量通道参数计算,适用于NVM1需要offset校正而计量通路不需要的场合.
6IN_DC_EN该位只有在IN_WaveEN(94H)=9'h1时才有意义,此时当该位写1才启动IN自动offset校正,校正完成后该位清零,DCOS_IN才能得到IN通道的直流offset值,并且波形缓存数据里面IA通道数据全部替换为IN通道.
如果IN_WaveEN=0,那么DCOS_IN得到的值实际为IA通道值.
5UC_DC_EN写1启动UC自动offset校正,此时输入应该接地或空载;128个周波后校正自动完成,校正完成后该位自动清零,并将校正结果写入DCOS_UC寄存器.
4IC_DC_EN写1启动IC自动offset校正,此时输入应该接地或空载;128个周波后校正自动完成,校正完成后该位自动清零,并将校正结果三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第61页版本3.
3写入DCOS_IC寄存器.
3UB_DC_EN写1启动UB自动offset校正,此时输入应该空载;128个周波后校正自动完成,校正完成后该位自动清零,并将校正结果写入DCOS_UB寄存器.
2IB_DC_EN写1启动IB自动offset校正,此时输入应该接地或空载;128个周波后校正自动完成,校正完成后该位自动清零,并将校正结果写入DCOS_IB寄存器.
1UA_DC_EN写1启动UA自动offset校正,此时输入应该空载;128个周波后校正自动完成,校正完成后该位自动清零,并将校正结果写入DCOS_UA寄存器.
0IA_DC_EN写1启动IA自动offset校正,此时输入应该接地或空载;128个周波后校正自动完成,校正完成后该位自动清零,并将校正结果写入DCOS_IA寄存器.
注意:当NVM1_DC_DIS=1,即DCOS寄存器影响计量通道参数,如果用于EMM模式校正,需要将寄存器值乘以0.
512后再使用.
当NVM1_DC_DIS=0,DCOS寄存器仅影响NVM1电流有效值计算,通过IA_DC_EN、IB_DC_EN、IC_DC_EN启动自动校正,得到的值可直接用于NVM1下电流通道直流offset校正.
DCOS_IN、IN_DC_EN只有在IN_WaveEN(94H)=1时才有意义,此时才能得到IN通道的直流offset值,并且波形缓存数据里面IA通道数据全部替换为IN通道.
如果IN_WaveEN=0,那么DCOS_IN得到的值实际为IA通道值.
即:如果要得到7个通道的直流offset偏置,需要分两步做,第一步得到6个通道的值,第二步得到IN通道的值.
3.
4.
45IN波形缓存使能寄存器地址:94H;字长:2字节.
默认值:0x0000.
该寄存器不参与校验和计算.
IN_WaveEN寄存器用于使能IN波形缓存功能.
位位名称功能描述1-15Reserved保留.
0IN_WaveEN=1选择IN通道波形缓存,取代IA通道波形缓存;选择IN通道直流offset自动校正,取代IA通道;=0禁止IN通道波形缓存和IN直流offset自动校正功能.
3.
5复位和模式切换3.
5.
1上下电复位PM引脚复位后的模式寄存器0EMM1.
所有寄存器复位.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第62页版本3.
32.
复位后,启动EMM功能;NVM1和NVM2功能关闭.
1SLM1.
NVM1配置和状态寄存器、NVM2配置和状态寄存器、系统配置和状态寄存器复位.
2.
参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器无效.
3.
5.
2外部引脚复位复位前的工作模式复位后的工作模式寄存器EMMEMM1.
NVM1CFG、NVM1CMPA、NVM1CMPB、NVM1CMPC(以下简称NVM1配置寄存器)保持不变.
2.
NVM2配置寄存器NVM2CFG保持不变.
3.
系统配置寄存器WREN、ADCCFG、MODSEL保持不变.
4.
其他寄存器复位.
NVM1NVM1同上NVM2NVM21.
NVM1配置寄存器、NVM2配置寄存器以及系统配置寄存器WREN、ADCCFG、MODSEL保持不变.
2.
复位后,启动一次NVM2电流比较功能,刷新NVM2IF寄存器.
3.
参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器保持无效.
4.
其他寄存器复位.
3.
5.
3软件复位复位前的工作模式复位后的工作模式寄存器EMMEMM1.
NVM1配置寄存器、NVM2配置寄存器、系统配置寄存器ADCCFG、MODSEL保持不变.
2.
其他寄存器包括WREN复位.
NVM1NVM1同上NVM2NVM21.
NVM1配置寄存器、NVM2配置寄存器以及系统配置寄存器ADCCFG、MODSEL保持不变.
2.
复位后,启动一次NVM2电流比较功能,刷新NVM2IF寄存器.
3.
参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器保持无效.
4.
其他寄存器包括WREN复位.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第63页版本3.
33.
5.
4模式切换和寄存器当前工作模式模式切换命令切换后的工作模式寄存器变化SLM或NVM2GOEMMEMM1.
发生唤醒复位,参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器复位.
2.
复位后,启动EMM功能;NVM1和NVM2功能关闭.
NVM1有效值保持复位值.
3.
SYSSR寄存器、工作模式切换寄存器、NVM2IF发生相应变化.
4.
其他寄存器保持不变.
GONVM1NVM11.
发生唤醒复位,参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器复位.
2.
复位后,启动NVM1电流有效值测量功能,NVM1电流有效值寄存器刷新;EMM功能无效,EMM参数寄存器和状态寄存器保持复位值.
3.
SYSSR寄存器、工作模式切换寄存器、NVM2IF发生相应变化.
4.
其他寄存器保持不变.
EMM或NVM1GOSLMSLM1.
参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器无效.
2.
SYSSR寄存器和工作模式切换寄存器以及NVM1IF寄存器相应变化.
3.
其他寄存器保持不变.
EMM或NVM1GONVM2NVM21.
参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器无效.
2.
启动一次NVM2电流比较功能,刷新NVM2IF寄存器.
3.
SYSSR寄存器和工作模式切换寄存器以及NVM1IF寄存器相应变化.
3.
其他寄存器保持不变.
EMMGONVM1NVM11.
EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器无效,但保持切换前的值.
2.
启动NVM1电流有效值测量功能,NVM1电流有效值寄存器刷新.
EMM功能无效,但EMM参数寄存器保持切换前的值.
3.
SYSSR寄存器和工作模式切换寄存器以及NVM1IF寄存器相应变化4.
其他寄存器保持不变NVM1GOEMMEMM1.
启动EMM功能,EMM校表寄存器、EMM配置寄存器有效,EMM参数寄存器和EMM状态寄存器开始刷新.
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32.
关闭NVM1电流有效值测量功能,但NVM1电流有效值寄存器保持切换前的值.
3.
SYSSR寄存器和工作模式切换寄存器发生相应变化.
4.
其他寄存器保持不变.
NVM2GOSLMSLM1.
参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器无效.
2.
SYSSR寄存器和工作模式切换寄存器以及NVM2IF寄存器相应变化.
3.
其他寄存器保持不变.
SLMGONVM2NVM21.
参数寄存器、EMM校表寄存器、EMM配置和状态寄存器无效.
2.
启动一次NVM2电流比较功能,NVM2IF寄存器刷新.
3.
SYSSR寄存器和工作模式切换寄存器发生相应变化.
4.
其他寄存器保持不变.
3.
6写保护除写使能寄存器外,所有可读可写寄存器以及命令寄存器均有写保护功能.
上电复位和软件复位后可读可写寄存器默认状态是写保护状态.
写使能寄存器接收到WREN命令后,关闭写保护.
接收到WRDIS命令后,使能写保护.
SYSSR寄存器中的REG_WE状态位反映芯片当前寄存器的写保护状态.
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34校表方法4.
1概述RN8302B提供了丰富的校正手段实现软件校表,既支持功率校表法,也支持传统的脉冲校表法.
经过校正的仪表,有功和无功精度均可达0.
2S级.
RN8302B的校正手段包括:电表常数通过HFConst寄存器可调ADC采样通道增益校正ADC采样通道相位校正,其中三路电流通道支持分段相位校正有功、无功、视在功率增益校正有功、无功功率相位校正,支持分段相位校正有功、无功功率和有效值的Offset校正具有校表数据自动校验功能4.
2功率校表法和传统的脉冲校表法相比,功率法校表具有校表简单,快捷的优点.
其校表系统如图所示,只需一台高精度电流电压源,该源精度等级应高于被测表所要求的等级.
4.
2.
1校表流程功率法校表流程:1、计算额定输入时标准的U、I寄存器值,计算PF=1.
0和PF=0.
5L时,标准有功功率值;并根据电表常数计算芯片的HFConst.
2、按图搭好校表环境并进行参数设置,如配置好芯片的ADCPGA增益、HFConst、阈值寄存器等.
3、标准源额定输出,读出A相实际电压、电流有效值,并计算与理论值的误差,再根据此误差计算出A相电压、电流通道增益寄存器的值,填入并比对校正结果,完成A相U、I通道增益校正.
4、标准源PF=0.
5L,额定输出,读出A相有功功率并计算与理论值的误差,再根据此误差计算出通道相位寄存器或功率相位寄存器的值,填入并比对校正结果,完成A相通道相位校正.
5、标准源电流空载,读空载有效值、功率值,再根据空载值计算相应的OFFSET值填入相应的OFFSET寄存器的值.
完成A相OFFSET校正(该项可选).
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第66页版本3.
36、相同的方法完成其他相的增益、相位、OFFSET校正.
7、校表结束.
4.
2.
2标准电压电流和有功功率值计算1、计算和选择标准的电压有效值寄存器值电压额定输入时,标准的电压有效值寄存器值应既方便MCU转换成LCD显示值,又在通道增益校正的合理的范围内.
假设电压额定输入Un时,芯片电压通道输入端电压有效值为Vu,理论计算值为U理论,经MCU转换LCD显示值为U示值,标准的电压有效值寄存器值为U标准,则U标准选择应满足下列条件:0.
8=0,则GSUA=INT[USGain*215]否则USGain0,表示UA超前IA;若<0,表示UA滞后IA.
对50HZ,PHSUA和PHSIA寄存器均有0.
017578°/LSB的关系,即调整1个LSB,功率因数角为60°时,有功误差变化0.
053%,无功误差变化0.
02%.
若调整PHSUA寄存器,则有PHSUA=0x80+INT(/0.
017578°)若调整PHSIA寄存器且不考虑分段校正,则有:PHSIA_R1[7:0]=0x80-INT(/0.
017578°)当用户需要将PF=0.
5L的有功相位误差控制在±0.
03%以内,需通过功率相位校正方法校正,若不考虑分段校正,用户可配置A相有功功率相位校正寄存器PA_PHSL和A相无功功率相位校正寄存器QA_PHSL实现校正.
相位补偿公式:若≥0,则PA_PHSL=*215;若<0,则PA_PHSL=*215+216若≥0,则QA_PHSL=*215;若<0,则QA_PHSL=*215+216该方法对标准源的相位准确度和稳定度有较高要求.
4.
2.
7OFFSET校正OFFSET校正是在外部噪声(PCB噪声,变压器噪声等等)较大,影响到小信号(如1%Ib)精度的情况下,提高小信号精度的一种有效手段.
若外部噪声对小信号精度影响较小,该步骤可忽略.
电流OFFSET校正说明:以A相电流有效值为例,IA_OS寄存器计算过程:1)配置标准源,使U=Un、电流通道输入空载;2)MCU取IA寄存器值,暂存;3)重复步骤2和3十一次,第一个数据可不要,MCU取后十个数据求平均得IAave;4)求IAave的平方IAave2;取bit14~bit29,求其二进制补码,填入IA_OS寄存器bit14~bit0,取符号位1填入IA_OS寄存器的bit15.
5)A相电流有效值offset校正结束其他相的电流有效值OFFSET与基波电流有效值校正过程与此相同.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第69页版本3.
34.
3功率校表法举例假设设计一块220v(Un)、1.
5A(In)额定输入、表常数为3200(EC)的样表.
额定电压Un=220V,要求对应ADC输入端信号幅度为Vu=220mv;额定电流Ib=1.
5A;对应ADC输入端信号幅度为Vi=50mv,模拟通道增益为1倍.
1、标准电压有效值寄存器值计算和选择1)计算额定输入时电压有效值寄存器理论值根据公式U理论=INT[(Vu/800)*227],带入Vu=220mV,得U理论=INT[(220/800)*227]=369098752)根据条件0.
82,U标准合理选择范围为29527900~442918503)经MCU转换LCD显示值为U示值=220V,可选择U标准为44000000,MCU可方便地转换2、标准电流有效值寄存器值计算和选择1)计算额定输入时电流有效值寄存器理论值根据公式I理论=INT[(Vi/800)*227],带入Vu=50mV,得I理论=INT[(50/800)*227]=83886082)根据条件0.
82,I标准合理选择范围为6710886~100663293)经MCU转换LCD显示值为I示值=1.
5A,可选择I标准为7500000,MCU可方便地转换3、PF=1.
0和PF=0.
5L,标准有功功率寄存器值计算额定输入,PF=1.
0,标准的有功功率值P=INT(U标准*I标准/223)=44000000*7500000/223=39339066额定输入,PF=0.
5L,标准的有功功率值P0.
5L=INT(U标准*I标准/224)=39339066/2=196695334、HFConst计算和配置由公式:HFConst=INT[P*3.
6*106*fosc/(32*EC*Un*Ib*231)]=INT[(39339066*3.
6*8.
192*1012)/(32*3200*220*1.
5*231)]=15987=3E73H因此芯片配置HFConst1=HFConst2=3E73H.
5、参数设置略.
6、通道增益校正过程标准源额定输出,读出A相电压有效值寄存器,假设为37297350,那么ErrUA=(UA'-UA)/UA=(37297350-44000000)/44000000=-0.
152333,在寄存器GSUA中写入[-ErrUA/(1+ErrUA)*2^15]=[0.
1797085*32768]=5888=1700H;这样可以把电压有效值寄存器校三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第70页版本3.
3正为44000000,校正误差可以控制在0.
02%~0.
03%.
读出A相电流有效值寄存器,假设为8299685,那么ErrIA=(IA'-IA)/IA=(8299685-7500000)/7500000=0.
106625,-ErrIA/(1+ErrIA)=-0.
0963515,在寄存器GSIA中写入INT[65536-0.
0963515*32768]=F3ABH;这样可以把电流有效值校正为7500000,校正误差可以控制在0.
02%~0.
03%.
A相电压有效值以及电流有效值校正完成后,有功功率/无功功率/基波相关有效值、功率等全部校正完成.
由于HFconst是由标准有功功率推算出的3E73H,所以A相电能误差也自动校正完成.
B相和C相依照相同的过程进行校正.
7、相位校正过程校完通道增益后,将功率因数改为0.
5L,读出A相有功功率寄存器值为19526535,则ErrPA=(PA0.
5L'-PA0.
5L)/PA0.
5L=(19526535-19669533)/19669533=-0.
00727若采用通道相位校正,则θ=ArcSin(-(-0.
00727)/1.
732)=ArcSin0.
0042=0.
2406°.
PHSUA=128+INT[0.
2406/0.
017578]=142,转换为16进制为0x8E.
若采用功率相位校正,则=-(-0.
00727)/1.
732=0.
0042;PA_PHSL=*215=138,转换为16进制为0x89;QA_PHSL=*215=138,转换为16进制为0x89.
B相和C相依照相同的过程进行校正.
4.
4脉冲校表法当用户有稳定但精度等级一般的标准源,但有较高等级的标准表时,可考虑用如左图所示脉冲校表法.
脉冲校表法校表流程如图4-3:脉冲法校表流程和功率法校表流程前几个步骤都相同,仅在增益校正和相位校正环节使用标准表误差来推算功率增益寄存器和相位寄存器值.
由标准表PF=1.
0误差,推算功率增益寄存器值的方法详见3.
4.
11章节.
GPA调好后,GQA、三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第71页版本3.
3GSA、FGPA、FGQA、FGSA可填写同样的值.
由标准表PF=0.
5L误差,推算通道相位寄存器值的方法详见3.
4.
7章节.
由标准表PF=0.
5L误差,推算功率相位寄存器值的方法详见3.
4.
12章节.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第72页版本3.
35通信接口支持串行通信接口SPI.
工作在从属方式.
SPI接口速率:最大3.
5Mbps传输可靠性:SPI帧格式包含校验和字节读波形缓存区支持Burst1/4/8/16模式3.
3V/5V兼容5.
1SPI地址空间描述地址AD[10:0]映射:0x000~0x0FF:计量参数寄存器空间0x100~0x1FF:配置和状态寄存器空间0x200~0x27F:波形采样数据缓存块1空间0x280~0x2FF:波形采样数据缓存块2空间0x300~0x37F:波形采样数据缓存块3空间0x380~0x3FF:波形采样数据缓存块4空间0x400~0x47F:波形采样数据缓存块5空间0x480~0x4FF:波形采样数据缓存块6空间5.
2SPI接口信号说明SCSN:SPI从设备片选信号,低电平有效,输入信号,内部悬空,建议外接上拉电阻.
SCSN由高电平变为低电平时,表示当前芯片被选中,处于通讯状态;SCSN由低电平变为高电平时,表示通讯结束,通讯口复位处于空闲状态.
SCLK:串行时钟输入脚,决定数据移出或移入SPI口的传输速率.
所有的数据传输操作均与SCLK同步,RN8302B在SCLK上升沿将数据从SDO引脚输出;主机在SCLK上升沿将数据从SDI引脚输出.
RN8302B和主机都在SCLK下降沿读取数据.
SDI:串行数据输入脚.
用于把主机数据传输到RN8302B内部.
SDO:串行数据输出脚,用于把RN8302B数据输出给主机.
SCSN为高时,为高阻态.
5.
3SPI帧格式SPI帧包括读寄存器帧、写寄存器帧和BURST读波形数据缓存帧.
每一帧的传输过程如下:写操作:读操作:三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第73页版本3.
3其中:ADDR字节:包含AD[7:0],指目标地址的低八位地址CMD字节:包含{R/W,AD[10:8],BL[1:0],2'h0},其中R/W=0,表示读操作;R/W=1,表示写操作;AD[10:8],表示目标地址的高3位地址,即Bank地址BL[1:0],仅在Burst读波形数据缓存帧有效,表示Burst读操作的字长(即读取多少个地址的数据);BL[1:0]=2'b00,Burst读字长为1BL[1:0]=2'b01,Burst读字长为4BL[1:0]=2'b10,Burst读字长为8BL[1:0]=2'b11,Burst读字长为16当地址落在波形采样数据缓存空间时,BL有效;地址采取"递增"方式;当地址不在波形采样数据缓存空间时,BL无效;但是其值依然参与校验和计算写操作时,BL无效,但是其值依然参与校验和计算;MSB、LSB字节:数据块;先发高字节,后发低字节;CS块:校验和字节.
这三种类型SPI帧格式说明见表5-1.
表5-1RN8302BSPI帧格式CommandNameADDRCMDDATACHECKSUMDescription读寄存器帧{REG_ADR[7:0]}{1'b0,BANK[2:0],4'b0000}BANK=3'b000,寄存器地址映射到计量参数寄存器地址空间BANK=3'b001,寄存器地址映射到配置和状态寄存器寄存器地址空间RDATA由RN8302B计算并发出帧校验和.
从地址为{BANK[2:0],REG_ADR[7:0]}的寄存器读数据.
写寄存器帧{REG_ADR[7:0]}{1'b1,BANK[2:0],4'b0000}BANK=3'b000,寄存器地址映射到计量参数寄存器地址空间BANK=3'b001,寄存器地址映射到配置和状态寄存器寄存器地址空间WDATA由MCU计算并发出写寄存器帧校验和.
向地址为{BANK[2:0],REG_ADR[7:0]}的寄存器写数据.
BURST读波形数据缓存帧{BUF_ADR[7:0]}{0,BANK[2:0],Burst_LEN[1:0],2'b00}BANK=3'b010-3'b100RBUF_DATA由RN8302B计算并发从首地址为{BANK[2:0],REG_ADR[7:0]}的波三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第74页版本3.
3ADDRESS映射到波形缓存RAM地址空间Burst_LEN[1:0]=2'b00,单地址操作;Burst_LEN[1:0]=2'b01,4地址操作;Burst_LEN[1:0]=2'b10,8地址操作;Burst_LEN[1:0]=2'b11,16地址操作;出帧校验和.
形缓存区Burst读数据.
校验和算法:ADDR+CMD+DATA单字节求和取反.
5.
4SPI写时序图5-1SPI写时序工作过程:主机在SCSN有效后,先通过SPI写入地址和命令字节,再写入数据字节.
注意:1.
以字节为单位传输,高位比特在前,低位比特在后;2.
多字节寄存器,先传输高字节内容,再传输低字节内容;3.
主机在SCLK高电平写数据,RN8302B在SCLK下降沿取数据;4.
数据字节之间的RN8302B时间t1要大于等于半个SCLK周期;5.
最后一个字节的LSB传送完毕,SCSN由低变高结束数据传输.
SCLK下降沿和SCSN上升沿之间的时间t2要大于等于半个SCLK周期.
注意:有写保护功能的寄存器在写操作之前要先写入写使能命令.
5.
5SPI读时序工作过程:主机在SCSN有效后,先通过SPI写入地址和命令字节(8bit,包含寄存器地址),RN8302B收到读命令后,在SCLK的上升沿将数据按位从SDO引脚输出.
注意:1.
以字节为单位传输,高比特在前,低比特在后;2.
多字节寄存器,先传输高字节内容,再传输低字节内容;3.
主机在SCLK高电平写命令字节,RN8302B在SCLK下降沿读命令字节.
4.
RN8302B响应命令,在SCLK上升沿将数据从SDO输出;5.
数据字节的时间t1要大于等于半个SCLK周期;三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第75页版本3.
36.
最后一个字节的LSB传送完毕,SCSN由低变高结束数据传输.
SCLK下降沿和SCSN上升沿之间的时间t2要大于等于半个SCLK周期.
图5-2SPI读时序5.
6SPI接口可靠性设计SPI接口可靠性设计包括以下方面:1.
校验功能1)SPI帧结构最后一个字节为该帧校验和字节.
2)提供EMM校表寄存器和EMM配置寄存器的校验和CHECKSUM1(0x6A)和NVM1、NVM2以及系统配置寄存器校验和CHECKSUM2(0x8B).
3)提供SPI读校验寄存器RData(0x8C),保存前次SPI读出的数据.
4)提供SPI写校验寄存器WData(0x8D),保存前次SPI写入的数据.
2.
写保护功能对所有可读可写寄存器有写保护功能.
3.
应用电路设计SPI传输信号线有可能受到干扰而出现抖动,用户可根据需要考虑外接电阻电容进行滤波,如图所示.
参数的选择可根据需要确定.
三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第76页版本3.
36电气特性测量项目符号最小典型最大单位测试条件和注释精度(DVCC=AVCC=3.
3V±5%,室温)有功电能测量误差Err0.
1%5000:1的动态范围无功电能测量误差Err0.
1%5000:1的动态范围视在电能测量误差Err0.
1%5000:1的动态范围电能测量带宽BW7kHzfosc=8.
192MHz有效值测量误差RErr0.
2%1000:1的动态范围NVM1有效值测量误差NRErr0.
5%400:1的动态范围有效值测量带宽BW7kHzfosc=8.
192MHz相角测量误差YErr0.
02°电流通道50mV输入,相角60°120°240°300°频率测量分辨率0.
0001Hz40Hz~70Hz频率测量误差FErr0.
02%40Hz~70Hz校正范围通道增益校正系数GS02通道相位校正PHS-2.
2592.
259°fosc=8.
192MHz模拟输入最大差分输入信号电平Vxpn800mVp峰值,PGA=1-3dB带宽B-3dB7kHzfosc=8.
192MHz电流通道串扰-110dBUA=UB=UC=800mVpp基准电压(DVCC=AVCC=3.
3V±5%,温度范围:-40℃~+85℃)输出电压Vref1.
25V1.
25±1%温度系数Tc515ppm/℃时钟输入输入时钟频率范围fxi8.
192MHzXI输入电容Cxi15pfXO输入电容Cxo15pf晶振ESRESR100欧姆10倍起振裕度数字接口SPI接口速率3.
5MbpsSCLK、SCSN、SDI逻辑输入低电平Vil1.
5VSCLK、SCSN、SDI逻辑Vih2.
2V三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第77页版本3.
3输入高电平CF1-CF4、INTN逻辑输出高电平Voh3Isource=4mACF1-CF4、INTN逻辑输出低电平Vol0.
4Isink=4mA电源模拟电源AVCC3.
03.
33.
6V数字电源DVCC3.
03.
33.
6V功耗(DVCC=AVCC=3.
3V±5%,室温)EMM电流Idd15.
3mAfosc=8.
192MHzIdd1=AIdd1+DIdd1,下同NVM1电流Idd22mAOSCI=8.
192MHzNVM2电流Idd30.
15mASLM电流Idd42μA全失压测量典型工作电流Idd57μA60秒自动唤醒一次测量三路电流有效值极限参数数字电源电压DVCC-0.
3--+6V模拟电源电压AVCC-0.
3--+6VDVcctoDGND-0.
3--+3.
7VVOtoDGND-0.
3+3VDVCCtoAVCC-0.
3+0.
3V模拟差分输入-2+2VREFV引脚输入-0.
3AVCC+0.
3V数字输入电压相对于GNDVIND-0.
3--DVCC+0.
3V数字输出电压相对于GNDVoutD-0.
3--DVCC+0.
3V工作温度范围TA-40--85℃存储温度范围Tstg-65--150℃三相多功能防窃电计量芯片RN8302B深圳市锐能微科技有限公司第78页版本3.
37芯片封装