三星关闭135端口

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XPD920(文件编号:S&CIC1969)USBType-CPD/PPS多协议控制器Version1.
0第1页共13页Copyright2020,云矽半导体1特性支持USBType-C协议-配置为DFP(Source)-广播3A/1.
5A电流支持USBPowerDelivery(PD)2.
0和3.
0以及PPS协议-集成完整PD分层通信协议-PDO可配置:5V,9V,12V-输出功率高至36W-APDO可配置:5VProg,9VProg支持QuickCharge2.
0/3.
0/3.
0+协议-支持小米CHARGETURBO27W协议支持华为FCP/SCP/HVSCP协议-支持华为10V高压SCP协议支持三星AFC协议支持VOOC2.
0协议支持USBBC1.
2DCP支持Apple2.
4A充电规范集成恒压(CV)控制环路集成10mΩVBUS通路功率开关管集成10mΩ电流检测电阻内置VPWR和VBUS双放电通路支持在线升级安全性-过压/欠压保护-过流保护-过温保护CC1/CC2/DP/DM过压保护ESD特性±8KV采用ESOP8封装2应用AC-DC适配器USB充电设备3应用简图AC-DC应用图富满微电子集团股份有限公司FINEMADMICROELECTRONICSGROUPCO.
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0第2页共13页Copyright2020,云矽半导体DC-DC应用图4概述XPD920是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD)2.
0/3.
0以及PPS、QC3.
0+/QC3.
0/QC2.
0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星AFC快充协议、VOOC2.
0快充协议、BC1.
2DCP以及苹果设备2.
4A充电规范的多协议端口控制器,为AC-DC适配器、车载充电器等设备提供高性价比的USBType-C端口充电解决方案.
XPD920内置的Type-C协议可以支持Type-C设备插入自动唤醒,智能识别插头的正插与反插,并实现连接.
XPD920集成的PD协议支持双向标记编码(BMC),集成硬件的物理层协议和协议引擎,无需软件参与编解码.
XPD920最高支持36W输出功率,广播PDO电压可以配置为5V/9V/12V,可以灵活配置5VProg、9VProg两档APDO电压范围.
XPD920通过一路可Sink/Source的电流源,连接到AC-DC或DC-DC的反馈引脚实现动态调节电压的功能,不管是启动还是调压过程,都具备软启动/调压功能,实现电压平顺过渡.
XPD920内建多种保护机制确保设备安全:包括动态过压/欠压/过流保护(可根据设备请求的工作电压/电流按照比例调整保护点);启动监测(VBUS输出前会监测端口电压是否处于安全状态);DP/DM和CC1/CC2过压保护.
XPD920集成10mΩVBUS通路功率开关管和双路放电通路,集成恒压控制环路,在发生错误时也可以更快关闭输出并恢复到安全状态.
XPD920可以非常容易通过USBPD认证测试,无需为了认证增加元器件.
XPD920支持二次烧录,可实现在线升级.
XPD920采用ESOP8封装形式,外围无需额外的元器件即可工作,提供最优化的BOM成本特性.
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0第3页共13页Copyright2020,云矽半导体5引脚定义引脚序号名称描述1VPWR输入电源2OPTO光耦驱动3VFB电压调节端口(接到前端电源反馈点)4DPType-C口数据端口DP5DMType-C口数据端口DM6CC1Type-C口配置通路CC17CC2Type-C口配置通路CC28VBUSType-C口VBUS输出PowerPadGND电源地富满微电子集团股份有限公司FINEMADMICROELECTRONICSGROUPCO.
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0第4页共13页Copyright2020,云矽半导体6订购信息料号PDO和APDO配置印字包装XPD920APDO:5V/3A,9V/2.
22AXPD920XXXXX+XXESOP84K/盘XPD920BPDO:5V/3A,9V/2.
22A,12V/1.
67AXPD920BVPDO:5V/3A,9V/2.
22A,12V/1.
67A支持VOOCXPD920BPPDO:5V/3A,9V/2.
22A,12V/1.
67AAPDO1:3.
3-5.
9V/3AAPDO2:3.
3-11V/1.
8AXPD920APS25PDO:5V/3A,9V/2.
77AAPDO1:3.
3-5.
9V/3AAPDO2:3.
3-11V/2.
25AXPD920APS30PDO:5V/3A,9V/2.
77AAPDO1:3.
3-5.
9V/3AAPDO2:3.
3-11V/2.
75AXPD920BP25PDO:5V/3A,9V/2.
77A,12V/2.
08AAPDO1:3.
3-5.
9V/3AAPDO2:3.
3-11V/2.
25A可定制可定制印字说明:第一行,XPD920:芯片型号;第二行,XXXXX:LotNumber,XX:保留信息.
*SCP协议由于电流超过3A,需要定制,默认不开启.
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0第5页共13页Copyright2020,云矽半导体选型参考QC3.
0FCP/SCPAFCVOOCPD3.
0PPSCCCVA+CSRSRMOSXPD-LINK在线升级XPD319XPD320XPD618√√√√XPD636XPD720XPD738XPD737XPD767XPD818XPD819XPD820XPD920XPD938XPD930XPD977富满微电子集团股份有限公司FINEMADMICROELECTRONICSGROUPCO.
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0第6页共13页Copyright2020,云矽半导体7规格参数7.
1极限工作参数(1)参数最小值最大值单位耐压(对GND)VPWR,VBUS,OPTO,CC1,CC2,DP,DM-0.
325V其他-0.
37V结温-40150存储温度-65150(1)超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏.
长期工作在极限额定值下可能会影响器件的可靠性.
7.
2ESD性能符号参数值单位VESDHBM±4000VESD测试基于人体放电模型(HBM).
7.
3推荐工作条件参数最小值典型值最大值单位VPWR输入电压3.
612VCVBUSVBUS电容1FCVPWRVPWR电容4.
710FRFB1系统电压分压电阻100kΩRFB2系统电压分压电阻33kΩTA工作环境温度-40857.
4热阻值符号参数值单位RθJA结温和周围温度之间的热阻(1)42/W富满微电子集团股份有限公司FINEMADMICROELECTRONICSGROUPCO.
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0第7页共13页Copyright2020,云矽半导体7.
5电气特性如无特殊说明,下述参数均在该条件下取得:TJ=25℃,3.
3V≤VPWR≤12V参数测试条件最小典型最大单位芯片供电相关(VPWR,VBUS)VVPWR_THVPWRUVLO门限Risingedge3.
3VFallingedge2.
9Hysteresis0.
4ISUPP典型工作电流VPWR=5V,VBUS=5V2mAVoltageProtection(VBUS)VFOVPFastOVP门限,alwaysenabledReftotargetvoltage+20%VVSOVPSlowOVP门限Reftotargetvoltage+15%VSwitchMOSFETRDSON10mΩTransmitter(CC1,CC2)RTXOutputresistanceDuringtransmission50ΩVTXHITransmitHIGH1.
15VVTXLOTransmitLOW-7575mVtUIBitunitinterval3.
3ustBMCRise/falltimeofBMCRload=5.
1k,Cload=1nF300600nsReceiver(CC1,CC2)VRXHIReceiveHIGH800840885mVVRXLOReceiveLOW485525570IRP_SRCCC1/CC2Broadcastingcurrent3ADFPmode,0304330356uA1.
5ADFPmode,0166180194uAOCPVITRIPReftoPowerCapability(pd)+20%AOTP(internal)TJ1DietemperatureTemperaturerisingedge135145155℃Hysteresis20℃HVDCPinterface(DP,DM)VDAT(REF)数据线检测电压0.
250.
3250.
4VTGLITCH(DP)HIGHD+高电平扰动滤波时间11.
251.
5sTGLITCH(DM)LOWD-低电平扰动滤波时间1msTGLITCH(V)CHANGE输出电压扰动滤波时间204060msTGLITCH(CONT)CHANGE连续模式的扰动滤波时间100150200us富满微电子集团股份有限公司FINEMADMICROELECTRONICSGROUPCO.
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0第8页共13页Copyright2020,云矽半导体RDAT(LKG)D+漏泄电阻300500800KΩRDM(DWN)D-下拉电阻14.
2519.
5324.
5KΩRON(N1)开关N1导通电阻100ΩVTH(PD)受电设备连接检测电压阈值0.
250.
3250.
4VTDPD受电设备连接检测滤波时间120160200msΔIT(UP)电压升高时电流源阶跃步长RIREF=100KΩ2uAΔIT(DO)电压降低时电流源阶跃步长RIREF=100KΩ2uAApple2.
4A充电模式VDAT(2.
7V)D+/D-数据线电压2.
572.
72.
84VRDAT(2.
7V)D+/D-数据线输出阻抗12KΩFCP充电模式VTX-VOHD-FCPTXValidHigh2.
7VVTX-VOLD-FCPTXValidLow0.
3VVRX-VIHD-FCPRXValidHigh1.
2VVRX-VILD-FCPRXValidHigh0.
9VTriseFCPPulseRiseTime10%-90%2.
5usTfallFCPPulseFallTime90%-10%2.
5us富满微电子集团股份有限公司FINEMADMICROELECTRONICSGROUPCO.
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0第9页共13页Copyright2020,云矽半导体8应用信息8.
1功能模块图Copyright2020,云矽半导体8.
2VPWR和VBUSVPWR是USBType-C口VBUS的输入电源,也是芯片的供电电源.
VPWR连接前级AC-DC或者DC-DC的电源输出端.
建议靠近VPWR接对地电容CVPWR,推荐CVPWR典型值为10F.
Type-C口VBUS建议接1F对地电容CVBUS.
8.
3恒压环路与OPTO、VFBXPD920内部集成恒压运算放大器,通过OPTO和VFB形成恒压环路(CV),如下图所示.
OPTO端口直接驱动光耦,可以省掉传统的TL431.
OPTO可以耐压至20V以上.
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0第10页共13页Copyright2020,云矽半导体恒压环路(CV)需要在外部进行补偿,补偿电阻RCMP和补偿电容CCMP由具体应用决定.
VFB内部的基准电压为1.
24V.
VPWR上的反馈电阻网络的分压电阻RFB1必须接100kΩ.
如果初始输出电压设定为5V,则另一个分压电阻RFB2为33k.
可通过下面公式计算得到:通过调整RFB2的值可以改变初始输出电压.
反馈电阻网络的分压电阻RFB1和RFB2的精度影响VBUS电源精度,推荐使用1%精度电阻.
8.
4电流检测XPD920内置电流检测电路,实时检测Type-C口电流.
Type-C口过流保护点默认为PDO广播电流的120%.
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0第11页共13页Copyright2020,云矽半导体8.
6可靠性由于CC1/CC2/DP/DM引脚直接连接到USB端口,使用过程中容易和电源短路对芯片造成损坏,XPD920为了增强产品安全可靠性,对CC1/CC2/DP/DM引脚的耐压值特别提高到20V以上.
XPD920具有完备的OVP/OCP/UVP保护功能.
OVP/OCP/UVP保护阈值会根据设备选择的电压进行调整,最大限度保护设备安全.
XPD920内置VPWR和VBUS能量泄放通路,在特定情况下会开启并分别泄放VPWR和VBUS电源能量.
XPD920的芯片结温到达145℃后会关闭输出,降到125℃后解除保护重新开始工作.
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0第12页共13页Copyright2020,云矽半导体9应用电路9.
1AC-DC应用图图中所示元器件参数供参考,可以根据实际应用进行调整.
参考8.
3节内容设置反馈网络分压电阻RFB1和RFB2的值,以及补偿网络RCMP和CCMP的值.
9.
2DC-DC应用图图中所示元器件参数供参考,可以根据实际应用进行调整.
VPWR上的反馈电阻网络的分压电阻RFB1必须接100kΩ.
9.
3PCBlayout注意事项1.
输入电容CVPWR以及输出电容CVBUS尽量靠近芯片;2.
PCB布局时尽量避免与主发热器件摆放在一起;3.
尽量避免VFB连线受到干扰,补偿网络RCMP和CCMP靠近VFB脚放置.
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0第13页共13页Copyright2020,云矽半导体10封装信息标注最小值典型值最大值A-1.
501.
55A1-0.
100.
15A21.
351.
401.
45A30.
550.
600.
65b0.
350.
400.
45c0.
170.
220.
25D4.
854.
904.
95E5.
906.
006.
10E13.
803.
904.
00e1.
27BSCL0.
600.
650.
70L11.
05BSCθ0°4°6°