雪崩击穿问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?

温度升高对雪崩击穿,齐纳击穿的影响

首先 说一下，你的问题本身就是错误的，温度升高使雪崩击穿电压升高，齐纳击穿电压下降。

你可以查书，推荐高等教育出版社出版的 低频电子线路 主编是傅丰林 然后 我们所了解的是 击穿电压 与 电子所获得的能量与外加电压共同作用的结果才导致的击穿现象。

电子能量+外加电压=电子挣脱束缚 齐纳击穿我觉得是因为 温度升高导致电子能量增多 ，更容易挣脱共价键的束缚，只要提高一点外加电压 即可使电子脱离共价键，所以齐纳击穿电压降低 至于雪崩击穿 我还没明白 不好意思。

希望 鄙人的想法能对你有所帮助

请问半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件是进入热击击穿？

这个说法是不准确。

首先雪崩击穿和热击穿发生机理不同；热击穿是因为热而导致电流增大从而损坏；而雪崩击穿是因为反偏电压高而产生雪崩倍增效应从而导致损坏。

半导体器件雪崩击穿发生之后，继续增加电压电流，器件由于热而导致烧毁（而不是热击穿，此时未必发生热击穿）。

另外雪崩击穿造成器件失效，失效的原因不是只有一个热的原因，还有的因为由于雪崩击穿而造成器件其他电特性参数变差。

问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?

PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。

两者的区别对于稳压管来说，主要是： 电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。

电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。

电压在5－6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好， 这就是为什么许多电路使用5－6V稳压管的原因。

稳压管的原理决定了它的反应速度是不可能很快的 速度要求高的场合都用二极管＋基准电压 如果只是要做保护，用TVS稳压管主要用于稳压，通过的电流越小越好