雪崩击穿半导体物理中，能不能定性解释雪崩击穿时，反向击穿电压随低掺杂一侧杂质浓度增大而降低？

压敏二极管的用途？雪崩击穿用在什么地方？

了解产品： 压敏电阻是以氧化锌为材料烧结而成的半导体限压型浪涌器件；英文：Metal-Oxide Varistors (MOVs)它以其优异的非线性和高的浪涌吸收能力被广泛应用于电子电路中进行保护：产品主要用在交／直流电源电路及各类低频信号、控制电路板及相关的防雷模块上作浪涌保护。

压敏电压可从12V至1800V；单体通流量可达70KA甚至更高，本体直径有：Φ5mm，Φ7mm，Φ10mm，Φ14mm，Φ20mm，Φ25mm，Φ32mm，Φ40mm，Φ53mm、及34*34方片等其它规格尺寸，也可为客户定制规格。

B. 产品特性： 环保无铅材料，符合ROHS要求 体积小、高性价比、反应速度快 高浪涌吸收能力、安装使用简便 应用广泛，但不适合高频电路 C. 应用范围： 通信设备浪涌防护及I/O接口 汽车电子、防雷模块及相关设备 家用电器开关电源、充电器 电子数码电源、家居安防 数据基站防雷 机顶盒等等 参考生产厂商可以问到更多资料： 它们的通过UL、VDE、CSA 、3C认证。

雪崩击穿的回答： 在标准测试条件和直流1mA电流下，施加在压敏电阻两端的电压。

近似于拐点电压。

用U1mA 表示。

测试设备：MYZ-3型压敏电阻三参数测试仪

为什么二极管的雪崩击穿是正温度系数？

我想先解释什么是雪崩击穿。

　　当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子—空穴对，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧增加，故这种击穿被称为雪崩击穿。

　　雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，因为这种PN结的阻挡层宽，因碰撞而电离的机会就多。

　　当温度上升时，载流子浓度增大，导致PN结的阻挡层变窄，碰撞而电离的机会就大大减少，即雪崩式的撞击大大减少，雪崩击穿发生的难度就会增大。

故温度升高，雪崩击穿所需的反向电压也需要更大。

　　解释完毕。

介绍下雪崩击穿和齐纳击穿

雪崩击穿 在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。

当反向电压大到一定值时，在耗尽区内被加速而获得高能的少子，会与中性原子的价电子相碰撞，将其撞出共价键，产生电子、空穴对。

新产生的电子、空穴被强电场加速后，又会撞出新的电子、空穴对。

齐纳击穿 在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反向电压就能在耗尽区内形成很强的电场。

当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子、空穴对，使反向电流急剧增大。

这种击穿称为齐纳击穿或场致击穿。

一般来说，对硅材料的PN结，UBR>7V时为雪崩击穿；UBR <5V时为齐纳击穿；UBR介于5~7V时，两种击穿都有。

半导体物理中，能不能定性解释雪崩击穿时，反向击穿电压随低掺杂一侧杂质浓度增大而降低？

好久之前学的这个了。

首先要明确载流子受电场加速越大，越利于雪崩击穿。

所以，结宽越宽和电场越强都有利于雪崩击穿。

掺杂浓度变低时，耗尽层变宽，有利于载流子的加速，但是电场变小，似乎一个因素有利于雪崩击穿，一个因素不利于雪崩击穿。

但是电场强度对雪崩击穿的影响强于耗尽层宽度的影响（可以用电离率函数来衡量，但是这涉及了点数学计算），所以综合来看，应该是掺杂浓度高有利于雪崩击穿。