雪崩击穿如何区别齐纳击穿和雪崩击穿

稳压二极管的击穿方式可分为齐纳和雪崩，据书上记载雪崩击穿为不可恢复性，请问怎么可以用于稳压管呢？

齐纳二极管的工艺和普通二极管不同，使它的反向击穿为齐纳击穿方式。

齐纳稳压二极管可以工作在远大于7V的电压下，例如1N5956这款齐纳二极管的工作电压为200V。

二极管的击穿原理是什么，齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别？

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

回答者： 中华才俊网 - 大魔法师 八级 二极管的击穿原理见楼上，齐纳击穿和雪崩击穿区别在于： 齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。

雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去半导体特性。

当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时，齐纳二极管也会发生雪崩击穿，现象是二极管短路报废。

回答者： 南燕老师 - 高级魔法师 六级 1-8 15:17

如何区别齐纳击穿和雪崩击穿

一、性质不同 1、雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。

由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。

这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。

2、齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。

二、特点不同 1、雪崩击穿特点：材料掺杂浓度较低的PN结中，空间电荷区的电场随PN结反向电压的增大而增大。

这样，通过空间电荷区的电子和空穴，获得的能量在电场作用下增加。

2、齐纳击穿特点：齐纳或隧道击穿主要取决于空间电荷区中的最大电场，在碰撞电离机理中，不仅与场强有关，而且与载流子碰撞的累积过程有关。

显然，空间电荷区域越宽，它的倍数就越大。

因此，雪崩击穿不仅与电场有关，还与空间电荷区的宽度有关。

它要求结厚。

而隧道效应要求结薄。

扩展资料： 齐纳击穿常发生在掺杂浓度比较高的PN结中，因为此时的空间电荷层很薄，一个非常小的反向电压可以在空间电荷区产生一个强电场（通常高达10?v/cm）。

当温度升高时，电子的热运动增加，价电子可以通过较小的反向电压从共价键中拉出。

因此，当温度升高时，击穿电压降低，即齐纳击穿具有负的温度系数。

参考资料来源：搜狗百科-雪崩击穿 参考资料来源：搜狗百科-齐纳击穿